Кто работал с фазосдвигающей ucc2895 ? Опции

[SergCh]

не понятно, конкретный экземпляр микросхемы так работает или в схеме у меня что-то не то, но происходит следующее.
У этой микросхемы есть входы DELAB и DELCD для программирования задержек отдельно по замыкающей стойке моста и отдельно для размыкающей стойки.
Вход ADS соединен с землёй, таким образом задержка между включением-выключением каждой из стоек должна уменьшаться в 4 раза при увеличении нагрузки с хх до номинальной.
Однако в одной стойке задержка c изменением нагрузки меняется с 700nS до 200 nS, а в другой с 800 nS до 500nS.
Вот такой перекос. Это у всех микросхем ucc2895 так или у конкретного экземпляра?
Подбором сопротивлений на DELAB и DELCD удалось добиться изменения задержек по стойкам с изменением нагрузки :
700nS до 200 nS одной стойки и
в другой с 600 nS до 300nS.
Мне кажется это неправильно, сопротивления программирования задержек сильно разные, как поведёт себя изделие в серии не понятно.
Спасибо кто дочитал и вник в написанное.

Сообщение отредактировал SergCh - Sep 20 2013, 09:42

[Degtyarev]

Прошу несудить строго, давно это было. Резисторы кажется и получались разные ( это и естественно так-как для а-в и с-d условия zvs немного разные). Возможно там ещё и от токов зависит это время, я не помню схему 2895. Номиналы были поменьше, схемы нет под рукой. На 15 экземплярах прошедших через мои руки отклонений в задержках не наблюдал. Однажды настроив так и ставил. Правда это было лет 7-8 назад и были UCC3895 из Digikey-я. По поводу помех это верно замечено, там всё очень тщательно нада. Да и вообщем-то задержку я бы делал с запасом, лишнее время только понизит немного кпд, да и и только.

[SergCh]

Да и вообщем-то задержку я бы делал с запасом, лишнее время только понизит немного кпд, да и и только.

В номинальном режиме вряд ли лишняя задержка снизит КПД, а вот максимальный коэффициент заполнения жалко снижать, потому как нужно ещё на морозе минимальное входное напряжение отрабатывать.

Вот только mosfet не слышат ваших заклинаний...


В них всё с точностью наоборот !

Не могли бы вы пояснить мысль?
Одна из задумок в фазосдвигающем преобразователе, включение транзистров моста в то время когда ток через транзистор течёт в противоположном направлении, через диод.
Возможно что чем дольше через этот внутренний диод протекает ток, тем болший заряд накапливается в этом переходе. Но дальше что происходит ?
Транзистор включается при нуле напряжения, и что? Какие негативные последствия от большого мёртвого времени, которое предшествовало включению транзистора?
Можно на пальцах объяснить, желательно по русски?

[НЕХ]

В номинальном режиме вряд ли лишняя задержка снизит КПД, а вот максимальный коэффициент заполнения жалко снижать, потому как нужно ещё на морозе минимальное входное напряжение отрабатывать.

Не могли бы вы пояснить мысль?
Одна из задумок в фазосдвигающем преобразователе, включение транзистров моста в то время когда ток через транзистор течёт в противоположном направлении, через диод.
Возможно что чем дольше через этот внутренний диод протекает ток, тем болший заряд накапливается в этом переходе. Но дальше что происходит ?
Транзистор включается при нуле напряжения, и что? Какие негативные последствия от большого мёртвого времени, которое предшествовало включению транзистора?
Можно на пальцах объяснить, желательно по русски?

В классическом фазнике максимальный коэффициент заполнения снижает дурной последовательный резонансный дроссель - так что я теперь обхожусь без него.

Дальше происходит - бабах, иногда.
Заряд может не рассосаться вовремя, тогда при переключении при росте напряжения на стоке от лавинообразного размножения носителей откроется паразитный биполярник и тут же умрет от вторичного теплового пробоя.
Недавно я это наглядно продемонстрировал тут, убив 400-рублевый ключ. Он был подключен с закороченными затвор-исток параллельно такому же ключу в фазнике. Он погиб, а фазник - работает. И это потому, что на затвор работящим ключам приходил открывающий потенциал.
Кроме этого демонстрировал картинку - при подаче напряжения на затвор, падение напряжения на паразитном диоде растёт - ток канала активно противодействует накоплению заряда неосновных носителей.