реклама на сайте
подробности

 
 
> индуктивная нагрузка через транзистор, есть ли принципиальная разница?
shide_3
сообщение Nov 6 2013, 06:39
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 314
Регистрация: 27-04-10
Пользователь №: 56 923



здравствуйте. распространенная схема, когда индуктивная нагрузка управляется через транзистор (возьмем биполярный npn), - это когда эмиттер на земле, а нагрузка одним концом на коллекторе, другим-на плюсе, ну и само собой защитный диод параллельно. почему-то ни разу не встречал, чтобы нагрузка висела на земле через эмиттер. есть ли какой-то изюм в этом? пробовал-работает и так и так. но все же хочется услышать опытных людей
не потому ли, что ток коллектора чуть чуть побольше?

Сообщение отредактировал shide_3 - Nov 6 2013, 06:40
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Jurenja
сообщение Nov 6 2013, 06:54
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 457
Регистрация: 7-06-07
Из: Минск
Пользователь №: 28 262



Если эмиттер на земле, то при включенном транзисторе напряжение коллектор-эмиттер небольшое и транзистор меньше греется.
Если использовать схему с общим коллектором (повторитель напряжения), то в схеме с одним питающим напряжением напряжение коллектор-эмиттер будет примерно равно напряжению база-эмиттер и транзистор будет греться больше.
Во втором случае потребуются более эффективные методы охлаждения.


--------------------
Человек учится говорить два года, а молчать - всю жизнь
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shide_3
сообщение Nov 6 2013, 10:25
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 314
Регистрация: 27-04-10
Пользователь №: 56 923



Цитата(Jurenja @ Nov 6 2013, 10:54) *
Если использовать схему с общим коллектором (повторитель напряжения), то в схеме с одним питающим напряжением напряжение коллектор-эмиттер будет примерно равно напряжению база-эмиттер и транзистор будет греться больше.

почему? если транзистор открыт (насыщен), то напряжение на эмиттере будет примерно равно плюсу питания, стало быть напряжение коллектор-эмиттер - почти 0
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Егоров
сообщение Nov 6 2013, 10:45
Сообщение #4


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 3 868
Регистрация: 15-03-13
Пользователь №: 76 048



Цитата(shide_3 @ Nov 6 2013, 13:25) *
почему? если транзистор открыт (насыщен), то напряжение на эмиттере будет примерно равно плюсу питания, стало быть напряжение коллектор-эмиттер - почти 0

Вы в обычной схеме никогда не получите сигнал управления выше или даже равным напряжению питания. Следовательно, напряжение на эмиттере будет равным напряжению питания минус напряжение база-эмиттер. В насыщении эмиттерный повторитель не бывает в принципе, напряжение на эмиттере около вольта ниже питания. И более.
Насыщение эмиттерного повторителя - особый режим, инверсное включение, когда напряжение на входе выше напряжения питания и ток базы больше тока коллектора. Как правило, такой режим для биполярного транзистора не оговаривается.
Отсюда, по теме - можно включать так, можно эдак. Но в режиме эмиттерного повторителя потери напряжения в транзисторе будут больше на 0.5 вольта где-то. Преимущества ОК - высокое быстродействие и малые потери на управление.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Closed TopicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 20th June 2025 - 08:26
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01395 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016