СЦ ВЧ транзисторов Опции

[Mishuroff]

Здравствуйте, уважаемые коллеги. Интересует такой вопрос: как в программе AWR MO произвести перерасчет СЦ ВЧ транзистора с одного диэлектрика на другой?
Например: имеем транзистор https://www.macomtech.com/datasheets/MAGX-0...0-600L00_V3.pdf
Производитель указывает входной и выходной импеданс, а так же предлагает конфигурацию СЦ. В данном примере в качестве диэлектрика используется Rogers RT6010LM с эпсилон 10.2 и толщиной 0.625 мм, я же хочу изготовить данную СЦ на Isola 680 с эпсилон 3.45 и толщиной 0.508 мм.
Это первое.
Второе: я хочу видоизменить СЦ, сделав ее гибридной, используя как распределенные элементы, так и сосредоточенные, при этом я не хочу что бы частотная полоса уменьшилась.

Если кто нибудь занимался подобными вещами, очень прошу совета.

[AFK]

Рисуете цепь согласования с произвольными значениями параметров. Заходите в меню Simulate->Optimize, открываете вкладку Variables. Ставите галки в столбце Optimize напротив элементов цепи. Создаёте график Im(Z) и Re(Z). В Project Browser тыкаете правой кнопкой на Optimizer Goals, в контекстном меню кликаете Add Optimizer Goal... Устанавливаете значения, приведённые в даташите - они отобразятся на графике. Далее запускаете оптимизацию (Simulate->Optimize:Start), пьёте чай и вуаля.

[Белый дед]

пьёте чай и вуаля.

Если бы все было так просто.
s-параметры транзистора, приведенные в даташите и измеренные на тестовой плате производителя, на другом диэлектрике будут сильно отличаться.

[freeport]

S-параметры не привязаны к плате, они для того и придуманы чтобы однозначно характеризовать многополюсник.
Но в данном транзисторе входные и выходные сопротивления очень низкие, поэтому производитель и применяет материал с высокой диэлектрической проницаемостью, чтобы легче было осуществить трансформацию сопротивлений от 1 Ом к 50 Ом. Переход на материал с низким эпсилон, потребует установки дополнительных конденсаторов на полосковых линиях, чтобы понизить сопротивление линии.

[Белый дед]

S-параметры не привязаны к плате, они для того и придуманы чтобы однозначно характеризовать многополюсник.

Вы считаете, что транзисторы обмеряются висящими в воздухе?
s-параметры измеряются в оснастке производителя - т.е. на плате из определенного диэлектрика и определенной толщины.

[freeport]

Да, вы правы они измеряются имено в том приспособленнии, которое нарисовано в datasheet, при этом экспериментальным путем добиваются согласования и/или максимума выходной мощности, а после транзистор вынимают из приспособления и с помощью векторного анализатора измеряют получившееся комплексное сопротивелние нагрузок на входе и выхде транзистора. Именно эти данные приведены datasheet. Комплексно сопряженное значение этих нагрузок и есть S-параметры транзистора. Нам ничто не мешает нагрузить транзистор такими же сопротивлениями с помощью другой платы. И мы получим точно такие же параметры усилтеля на данном транзисторе, только на другой плате. S-параметры к плате не привязаны. Мы говорим о мощном транзисторе и напрямую S-параметры измерить нельзя, поэтому все производители для мощных транзисторов приводят рекомендуемые комплексные сопротивления нагрузок.

Сообщение отредактировал freeport - Nov 10 2013, 11:29