СЦ ВЧ транзисторов Опции

[Mishuroff]

Здравствуйте, уважаемые коллеги. Интересует такой вопрос: как в программе AWR MO произвести перерасчет СЦ ВЧ транзистора с одного диэлектрика на другой?
Например: имеем транзистор https://www.macomtech.com/datasheets/MAGX-0...0-600L00_V3.pdf
Производитель указывает входной и выходной импеданс, а так же предлагает конфигурацию СЦ. В данном примере в качестве диэлектрика используется Rogers RT6010LM с эпсилон 10.2 и толщиной 0.625 мм, я же хочу изготовить данную СЦ на Isola 680 с эпсилон 3.45 и толщиной 0.508 мм.
Это первое.
Второе: я хочу видоизменить СЦ, сделав ее гибридной, используя как распределенные элементы, так и сосредоточенные, при этом я не хочу что бы частотная полоса уменьшилась.

Если кто нибудь занимался подобными вещами, очень прошу совета.

[AFK]

Рисуете цепь согласования с произвольными значениями параметров. Заходите в меню Simulate->Optimize, открываете вкладку Variables. Ставите галки в столбце Optimize напротив элементов цепи. Создаёте график Im(Z) и Re(Z). В Project Browser тыкаете правой кнопкой на Optimizer Goals, в контекстном меню кликаете Add Optimizer Goal... Устанавливаете значения, приведённые в даташите - они отобразятся на графике. Далее запускаете оптимизацию (Simulate->Optimize:Start), пьёте чай и вуаля.

[Белый дед]

пьёте чай и вуаля.

Если бы все было так просто.
s-параметры транзистора, приведенные в даташите и измеренные на тестовой плате производителя, на другом диэлектрике будут сильно отличаться.

[freeport]

S-параметры не привязаны к плате, они для того и придуманы чтобы однозначно характеризовать многополюсник.
Но в данном транзисторе входные и выходные сопротивления очень низкие, поэтому производитель и применяет материал с высокой диэлектрической проницаемостью, чтобы легче было осуществить трансформацию сопротивлений от 1 Ом к 50 Ом. Переход на материал с низким эпсилон, потребует установки дополнительных конденсаторов на полосковых линиях, чтобы понизить сопротивление линии.

[Белый дед]

S-параметры не привязаны к плате, они для того и придуманы чтобы однозначно характеризовать многополюсник.

Вы считаете, что транзисторы обмеряются висящими в воздухе?
s-параметры измеряются в оснастке производителя - т.е. на плате из определенного диэлектрика и определенной толщины.

[freeport]

Да, вы правы они измеряются имено в том приспособленнии, которое нарисовано в datasheet, при этом экспериментальным путем добиваются согласования и/или максимума выходной мощности, а после транзистор вынимают из приспособления и с помощью векторного анализатора измеряют получившееся комплексное сопротивелние нагрузок на входе и выхде транзистора. Именно эти данные приведены datasheet. Комплексно сопряженное значение этих нагрузок и есть S-параметры транзистора. Нам ничто не мешает нагрузить транзистор такими же сопротивлениями с помощью другой платы. И мы получим точно такие же параметры усилтеля на данном транзисторе, только на другой плате. S-параметры к плате не привязаны. Мы говорим о мощном транзисторе и напрямую S-параметры измерить нельзя, поэтому все производители для мощных транзисторов приводят рекомендуемые комплексные сопротивления нагрузок.

Сообщение отредактировал freeport - Nov 10 2013, 11:29

[rloc]

после транзистор вынимают из приспособления и с помощью векторного анализатора измеряют получившееся комплексное сопротивление нагрузок на входе и выходе транзистора.

Векторным анализатором никто не меряет, нет таких калибровок до плоскости сечения выводов. В документах приводят промоделированное значение топологии ПП, после окончательной юстировки. Автору я бы посоветовал экспериментировать на рекомендованном материале, экономия на фоне стоимости самого усилителя не так очевидна.
Mishuroff, не думайте, что пересчитанная топология под новый материал заработает с первого включения. Процесс согласования - это долгий кропотливый процесс с кромсанием/приклеиванием фольги или размазыванием индия. Причем усилитель работает в нелинейном режиме и его выходная мощность сильно зависит от согласования по 2-ой и 3-ей гармонике, о чем производитель умалчивает. Попробуйте связаться с производителем и узнать нет ли у него готовых паллет - это сэкономит Вам массу времени.

Второе: я хочу видоизменить СЦ, сделав ее гибридной, используя как распределенные элементы, так и сосредоточенные, при этом я не хочу что бы частотная полоса уменьшилась.

При ваших мощностях, непросто найти подходящие сосредоточенные элементы ))

[Mishuroff]

При ваших мощностях, непросто найти подходящие сосредоточенные элементы ))

Нет, с этим проблем как раз таки нет) Вот например http://atceramics.com/Product/31/600F_Seri...pacitors_(MLCs) конденсаторы, которые отлично подходят для моих применений)

Дело вот в чем: моя методика расчета и проверки СЦ выглядит следующим образом -
1. в Microvawe Office я задаю все параметры подложки
2. Назначаю входной порт 50 ом
3. Рисую СЦ
4. Беру реактивность из дата шита и определяю какой емкости или индуктивности на этой частоте она соответствует.:
5. Подключаю СЦ к порту номер 2, который равен не 50 омам, а той величине, которая дана в дата шите, а емкость или индуктивность подключаю либо параллельно, либо последовательно, хотя это не столь важно, ведь есть ф-лы пересчета.
6. Строю графики S11 и S21

Сразу оговорюсь в EMSight'e я еще эти цепи не считал.
Проблема заключается вот в чем: когда я моделирую цепи, результаты могут сильно отличаться...например входная цепь может иметь резонанс минус 8dB, а выходная напротив около минус 0.2 dB и минимум КСВ.
Причем речь идет не об измененных цепях, а о цепях, которые представляет производитель.
Вот такая вот штука.

[rloc]

Нет, с этим проблем как раз таки нет) Вот например http://atceramics.com/Product/31/600F_Seri...pacitors_(MLCs) конденсаторы, которые отлично подходят для моих применений)

Посмотрите, какое собственное сопротивление этих конденсаторов на частоте 1 ГГц - порядка 0.1 Ом, а у транзистора - порядка 1 Ом. Представляете что будет с конденсатором если его расположить близко к низкоомной стороне? Посчитайте реактивные токи и рассеиваемую мощность при 600 Вт. Не видели, как при больших мощностях греется печать?

но сопротивление все таки измеряется:

Это только на бумаге, в научных статьях, а в реальности берешь топологию из даташита, подставляешь в симулятор и получаешь 100 % совпадение. Ни разу не видел, чтобы теория с практикой так хорошо совпадали.

[Mishuroff]

Посчитайте реактивные токи и рассеиваемую мощность при 600 Вт. Не видели, как при больших мощностях греется печать?

Мощность импульсная. Скважность достаточно большая, поэтому средняя мощность не очень большая. Нагревается не очень то и сильно.

[rloc]

Мощность импульсная. Скважность достаточно большая, поэтому средняя мощность не очень большая. Нагревается не очень то и сильно.

Как вы думаете, зачем для аттенюаторов приводят еще и импульсную мощность? Если объем маленький, то тепло не успевает быстро рассеиваться и происходит локальный перегрев. Мои коллеги уже успели спалить дорогущий аджилентовский аттенюатор на 1 Вт, тоже по-началу мотивировали большой скважностью.