Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе? Опции

[Boriskae]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

[Boriskae]

К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В. А на затвор для наших целей надо -6 В. И желательно всё в одной микросхеме, ну максимум один дополнительный полевик. Но приведённые микросхемы интересные, спасибо за советы.

[MePavel]

К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В.

Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Сообщение отредактировал MePavel - Dec 5 2013, 19:04

[Boriskae]

Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора. А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.

[MePavel]

Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора.

Ничего страшного, что на выводе REG может быть максимум +12 В. Последовательно с выходом REG просто включается маломощный стабилитрон с напряжением стабилизации 40-42 В плюс резистор где-то 1 к. Затвор-исток внешнего полевика шунтируется параллельной связкой - резистор 5-10 к || стабилитрон 12 В.
Конечно лучше вместо стабилитрона на 40-42 В использовать маломощный NPN биполярный транзистор включенный по схеме с ОБ. База заводится на источник питания 7-9 В, который питает LTC1261. Эмиттер связывается с выходом REG через резистор 3.3к. Коллектор подключается к затвору внешнего полевика. В общем элементов минимум.
Тут меня больше интересует вопрос каковы требования к пульсациям напряжения смещения GaN-транзистора?
Считаю, что с этой точки зрения микросхема LTC1261 не очень продуманна. Додумались соединить выход сигнала ООС с входом компаратора, который должен отдельно отслеживать напряжение на затворе! Таким образом, если захочется поставить приличный ФНЧ на смещение, чтобы хорошо сгладить пульсации, то нормально отслеживать напряжение на затворе без больших задержек не получится.

А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.

Очень сомневаюсь, что Вы найдете микросхему со встроенным мощным ключом, да ещё и рассчитанным на высокие напряжения. Технологически на одном кристалле совместить хорошую аналоговую, "цифровую" и силовую часть весьма непросто.