Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе? Опции

[Boriskae]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

[Plain]

Например, у CGHV22100 отсечка –3,05 В ±25%, а корпус 10,16 мм ±1,3%.

[MePavel]

Например, у CGHV22100 отсечка –3,05 В ±25%, а корпус 10,16 мм ±1,3%.

И чем это мешает сделать защиту по уровню напряжения смещения? Для того и подстроечный резистор, включённый по схеме потенциометра, предусмотрен. Им как раз и устанавливается нужное напряжение смещения. А порог срабатывания задаётся жёстко и отсчитывается от напряжения на неподвижных выводах потенциометра.
А вот простое ограничение тока не может учесть максимально допустимую рассеиваемую мощность Pmax (особенно при работе с сигналом), и тем более её зависимость от температуры корпуса. Можно лишь ограничиться по максимально допустимому постоянному току стока, но при этом мы с гарантированным запасом вылетаем за Pmax. Так что смысла в этом я не вижу вообще. Просто сильное усложнение схемы с сильноточными токовыми детекторами и т.п.
Единственное спасение - сделать защиту, запрещающей подачу напряжения сток-исток, если напряжение затвор-исток выходит за допустимые пределы. Это и имел ввиду автор темы.
P.S. Странное сравнение. Это всё равно, что отклонение абсолютной температуры в процентах выражать. Кстати, для напряжения отсечки ±25% - это очень хороший показатель.