Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе? Опции

[Boriskae]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

[Plain]

Подстроечный резистор в цепи защиты — нонсенс, и о простом, т.е. без учёта температуры, ограничении тока я не говорил, но я не специалист в данном разделе, и если Вы и другие утверждаете, что этого достаточно, то гораздо проще коммутировать исток, т.е. каскод.

[MePavel]

Подстроечный резистор в цепи защиты — нонсенс,

Немного странное утверждение. Но я вообще и не предлагал использовать подстроечный резистор для установки порога защиты. Подстроечным резистором устанавливают требуемое смещение GaN транзистора.
Хотя, вообще говоря, и смещение можно задавать с помощью подборного резистивного делителя напряжения.

и о простом, т.е. без учёта температуры, ограничении тока я не говорил,

Температура корпуса вообще мало о чём говорит. А чтобы учесть температуру канала нужно делать как минимум сложные вычисления, в которых должны фигурировать косвенные измерения рассеиваемой мощности на транзисторе (особенно под СВЧ сигналом).

но я не специалист в данном разделе, и если Вы и другие утверждаете, что этого достаточно, то гораздо проще коммутировать исток, т.е. каскод.

Не знаю как Вы проще собираетесь коммутировать ток истока у мощного СВЧ транзистора, у которого фланец, т.е. этот самый "исток" намертво прикручивается к тепло- и электропроводящему основанию, являющегося одновременно общей (земляной) шиной для питания и согласующих цепей.