Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе? Опции

[Boriskae]

Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?

[Plain]

Повторю, я не в курсе темы, но точно не экономил бы на спичках, а тем более не оказался в таком цейтноте, как дефицит места при таких чушках теплоотводов, цене комплектующих и т.п. Про россыпь автор вообще рассмешил — в каждом первом мобильнике её до сих пор сотни.

[MePavel]

Повторю, я не в курсе темы, но точно не экономил бы на спичках, а тем более не оказался в таком цейтноте, как дефицит места при таких чушках теплоотводов, цене комплектующих и т.п. Про россыпь автор вообще рассмешил — в каждом первом мобильнике её до сих пор сотни.

Я бы остановился на принципах работы схемы смещения GaN HEMT от NXP http://www.nxp.com/documents/application_note/AN11130.pdf (о ней уже упоминалось посте #9). Если прочитать внимательно статью, то можно найти в ней много нюансов, касающихся физики работы GaN HEMT, включая эффекты памяти и большие постоянные токи затвора при саморазогреве кристалла. Как раз всё то, на что я напоролся при первом знакомстве с этими транзисторами. Помимо того, что приведённая в статье схема позволяет максимально уменьшить вышеназванные неприятные эффекты, она решает следующие задачи:
- безопасная и стабильная работа транзистора на участках нарастания и спада напряжения питания (сток-исток) (в эти моменты транзистор закрыт);
- защита по превышению максимально-допустимого постоянного тока стока;
- защита от пропадания отрицательного смещения;
- температурная компенсация напряжения входного смещения с целью поддержания стабильного тока смещения стока.
Считаю в схеме преимуществом отсутствие дополнительного источника отрицательного напряжения. При этом заявленные пульсации напряжения на выходе затворного смещения менее 2 мВ.
Таким образом, я бы разрабатывал собственную схему смещения GaN HEMT основываясь на опыте коллег из NXP с учётом наличия доступных (разрешёных) радиоэлектронных компонентов.

[Plain]

- защита от пропадания отрицательного смещения;

Этого там нет, непосредственно на затвор никто не смотрит.

И исходя из "NPN-MOSFET", "NPN-термометр" и пр., схему явно делал студент, скорее всего смартфоном на бегу, так что да — глянуть раз, а сделать заново.

[MePavel]

Этого там нет, непосредственно на затвор никто не смотрит.

Как же нет?! Встроенный в микросхему U1 (LTC1261CS8-4) аналоговый компаратор напряжения отслеживает достижение 95% уровня отрицательного смещения относительо номинального значения. Выход REG U1 посылает команду открывания/закрывания мощного ключа на вход микросхеме-драйверу U2 (LT4256-1CS8). Таким образом, если отрицательное напряжение смещения снизится на более чем 5%, то произойдёт отключение питания стока GaN HEMT. Вот и защита от пропадания "минуса" на затворе, причём очень чувствительная.

И исходя из "NPN-MOSFET", "NPN-термометр" и пр., схему явно делал студент, скорее всего смартфоном на бегу, так что да — глянуть раз, а сделать заново.

Если честно не понял, что не так в "NPN-MOSFET" и "NPN-термометр"? А в остальном схема копирует даташитные включения микросхем. Так что и насчёт студента не совсем понятно. Классическая схемотехника. Единственно, что не очень привлекает, так это использование очень специализированных микросхем, которые ещё надо доставать. Поэтому на легкодопуступных отечественных комплектующих придётся проектировать совсем другую схему.