реклама на сайте
подробности

 
 
> Выходят из строя LDMOS транзисторы.
DKundaliou
сообщение Dec 28 2013, 10:18
Сообщение #1





Группа: Новичок
Сообщений: 2
Регистрация: 28-12-13
Пользователь №: 79 844



В общем тема такая, есть усилитель на базе LDMOS транзистора BLF6G10-200RN, работает усилитель на несогласованную нагрузку с постоянно изменяющимся импедансом, работает на разных частотах в диапазоне от 470МГц до 440МГц (проходит по частоте от 470 до 440 за 5 секунд, потом увеличивается выходная мощность и процесс повторяется), амплитуда входного напряжения не превышает 1В, работает в линейном режиме (напряжение смещения 2.8В, ток покоя порядка 500мА). Схема с общим истоком. Проблема : выходит из строя по входу при перепрыгивании по частоте(предположительно), при чем выходит из строя как захочет, может месяц поработать потом сгореть, может при первом же включении. Не совсем понятен процесс выхода из строя, т.к. выходит по входу то маловероятно что проблема в несогласованности нагрузки, самовозбуждения по приборам не наблюдается, да и нет цепи положительной обратной связи по которой оно могло бы происходить, входные параметры не превышены ни по амплитуде напряжения ни по амплитуде тока, в чем может быть причина?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
Jurenja
сообщение Dec 28 2013, 10:29
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 457
Регистрация: 7-06-07
Из: Минск
Пользователь №: 28 262



имхо при перепрыгивании по частоте на стоке получается большой выброс напряжения, который через емкость сток-затвор передается на затвор и получаете пробой сток-затвор.
или, что менее вероятно, при перестройке по частоте попадаете на какой-то локальный резонанс, напряжение на стоке становится больше и далее как в первом варианте.


--------------------
Человек учится говорить два года, а молчать - всю жизнь
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Dec 29 2013, 21:23
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Jurenja @ Dec 28 2013, 14:29) *
имхо при перепрыгивании по частоте на стоке получается большой выброс напряжения, который через емкость сток-затвор передается на затвор и получаете пробой сток-затвор.
или, что менее вероятно, при перестройке по частоте попадаете на какой-то локальный резонанс, напряжение на стоке становится больше и далее как в первом варианте.

Такие механизмы выхода из строя LDMOST невозможны. Особенно версия про проходную ёмкость ("ёмкость сток-затвор"). Не будет там никакого большого выброса напряжения на стоке, так как у LDMOS очень низкие пробивные напряжения сток-исток. Представьте себе какой должен быть выброс напряжения, чтобы зарядить входную ёмкость в несколько сотен пикофарад через проходную ёмкость величиной 3 пФ (которая кстати уменьшается с ростом напряжения сток-исток)?
Большинство, кто использует LDMOST в запредельных режимах по напряжению сток-исток почти 100% наблюдают КЗ затвор-исток. И ошибочно начинают строить гипотезы про то, что мол защитный диод пробился от большого сигнала или просто большим входным сигналом пробило подзатворный диэлектрик. Вероятно, то что описывает автор темы, не что иное как превышение V(BR)DSS (drain-source breakdown voltage) (или Uси max русс.) с превышением энергии лавинного пробоя. Из-за этого часть LDMOST структуры с наиболее низким пробивным напряжением сгорает. При этом её стоковая металлизация отгорает от общей стоковой шины ввиду больших токов источника питания стока. Поэтому по выходу на первый взгляд кажется, что транзистор рабочий. Однако если замерить RDS(on) или крутизну, то можно заметить, что эти параметры ухудшились. Но поскольку токи входного смещения малы да и сопротивление затворных полосков достаточно велико, то отгорание "по входу" дефективной ячейки не происходит. Поэтому в этом случае наблюдается КЗ по входу.

Цитата(DKundaliou @ Dec 28 2013, 14:18) *
самовозбуждения по приборам не наблюдается, да и нет цепи положительной обратной связи по которой оно могло бы происходить,

Отсутствие явной "положительной обратной связи" (ПОС) - не означает отсутствие паразитной ПОС. Другими словами есть предположение, что рассматриваемый усилитель имеет ошибки с точки зрения обеспечения устойчивости работы столь быстродействующего транзистора. Это одна причина. Проверять устойчивость данного усилителя желательно при токах стока порядка 1 - 1,5 А при напряжении питания от 0 до 20 В при работе с различным импедансом источника и нагрузки усилителя.

Другая причина - элементарные выбросы напряжения сток-исток из-за большой индуктивности в цепи смещения стока или недостаточной величины шунтирующей ёмкости в цепи питания. Слишком большая скорость нарастания при подачи напряжения питания. Звон напряжения на проводах, соединяющих источник питания с УМ и т.д. Слишком большая скорость нарастания напряжения входного смещения. Затяжные переходные процессы, повышенная чувствительность к "неоднородностям" входного импеданса на НЧ - слишком велики разделительные конденсаторы.

Сообщение отредактировал MePavel - Dec 29 2013, 21:24
Go to the top of the page
 
+Quote Post
serega_sh____
сообщение Dec 31 2013, 08:29
Сообщение #4


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 578
Регистрация: 27-06-08
Из: с Урала
Пользователь №: 38 578



Цитата(MePavel @ Dec 30 2013, 01:23) *
Большинство, кто использует LDMOST в запредельных режимах по напряжению сток-исток почти 100% наблюдают КЗ затвор-исток.

Поясните пожалуйста.
1. В каких случаях целесообразно использовать транзисторы в запредельных режимах? Кто это делает?
Или это просто констатация факта возникающая например при плохом КСВ выхода (Vcc+Vp-p_rf+Vксв vs Zout)
2. У меня на фабрике, мне можно проверять на входном контроле Uси max ? (с ограничением тока СИ на 10мкА. Например прибором KEITHLEY 2400) Это будет приводить к порче транзистора?

Цитата(MePavel @ Dec 30 2013, 01:23) *
Однако если замерить RDS(on) или крутизну, то можно заметить, что эти параметры ухудшились. Но поскольку токи входного смещения малы да и сопротивление затворных полосков достаточно велико, то отгорание "по входу" дефективной ячейки не происходит. Поэтому в этом случае наблюдается КЗ по входу.

Помоему ошибка с первым входом.
Я так и не понял почему происходит КЗ по входу?
Когда я рассматривал транзисторы которые я сжигал в изделии они имели локальные микро "взрывы". Вы про это говорили? Что такое "отгорание"?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
khach
сообщение Dec 31 2013, 11:09
Сообщение #5


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 439
Регистрация: 29-12-04
Пользователь №: 1 741



Цитата(serega_sh____ @ Dec 31 2013, 10:29) *
Я так и не понял почему происходит КЗ по входу?
Когда я рассматривал транзисторы которые я сжигал в изделии они имели локальные микро "взрывы". Вы про это говорили? Что такое "отгорание"?

Если копать глубоко, с паталогоанатомическими исследованиями трупов, то микрофотографии в студию. Отгорают обычно бонды по перегрузке по току. Микровзрывы надо исследовать- был ли локальный пробой диэлектрика из за перекачки по напряжению или там что то еще. Также очень интересно глянуть частично подпаленные транзисторы- там причина отказа будет более очевидной.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Сообщений в этой теме
- DKundaliou   Выходят из строя LDMOS транзисторы.   Dec 28 2013, 10:18
|- - virtual9900   Цитата(MePavel @ Dec 30 2013, 01:23) Отсу...   Dec 30 2013, 01:55
|- - MePavel   Цитата(serega_sh____ @ Dec 31 2013, 12:29...   Jan 1 2014, 23:22
- - virtual9900   Цитата(DKundaliou @ Dec 28 2013, 14:18) р...   Dec 28 2013, 10:58
|- - DKundaliou   Цитата(virtual9900 @ Dec 28 2013, 13:58) ...   Dec 28 2013, 12:09
|- - serega_sh____   Цитата(DKundaliou @ Dec 28 2013, 16:09) З...   Dec 28 2013, 14:08
- - virtual9900   Цитата(DKundaliou @ Dec 28 2013, 16:09) З...   Dec 29 2013, 17:12
- - khach   Схемы контроля КСВ выхода и стабилизации мощности ...   Dec 30 2013, 13:46
- - Prostograf   Цитата(DKundaliou @ Dec 28 2013, 13:18) В...   Jan 9 2014, 15:38
|- - MePavel   Цитата(Prostograf @ Jan 9 2014, 19:38) Ес...   Jan 10 2014, 15:27
|- - serega_sh____   Уважаемый, MePavel. Мне очень интересны Ваши ответ...   Jan 12 2014, 13:04
||- - MePavel   Цитата(serega_sh____ @ Jan 12 2014, 17:04...   Jan 12 2014, 16:49
||- - serega_sh____   Цитата(MePavel @ Jan 12 2014, 20:49) Инте...   Jan 12 2014, 17:56
||- - MePavel   Цитата(serega_sh____ @ Jan 12 2014, 21:56...   Jan 12 2014, 20:31
||- - serega_sh____   Офф. топик.------------------------- 2 MePavel спа...   Jan 13 2014, 05:04
||- - MePavel   Цитата(serega_sh____ @ Jan 13 2014, 09:04...   Jan 13 2014, 17:31
|- - Prostograf   Цитата(MePavel @ Jan 10 2014, 18:27) Пред...   Jan 13 2014, 06:30
|- - MePavel   Цитата(Prostograf @ Jan 13 2014, 10:30) П...   Jan 13 2014, 18:38
|- - Prostograf   Цитата(MePavel @ Jan 13 2014, 21:38) Во-п...   Jan 15 2014, 07:31
|- - MePavel   Цитата(Prostograf @ Jan 15 2014, 11:31) Я...   Jan 15 2014, 19:31
|- - Prostograf   Согласен по всем пунктам. Можно конечно еще подиск...   Jan 16 2014, 07:15
|- - MePavel   Цитата(Prostograf @ Jan 16 2014, 11:15) о...   Jan 16 2014, 17:32
- - serega_sh____   Цитата(Prostograf @ Jan 15 2014, 11:31) ....   Jan 15 2014, 08:46
|- - Prostograf   Цитата(serega_sh____ @ Jan 15 2014, 11:46...   Jan 15 2014, 10:08
- - serega_sh____   Нет. Нет. Вы совершенно правы. Просто по Вашему по...   Jan 15 2014, 10:56


Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 31st July 2025 - 16:50
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01498 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016