Цитата(Demonis @ Apr 23 2014, 00:11)
Если нагрузить представленные в документации согласующие цепи на модель транзистора, то согласования не получается.
Что есть что в прилагаемой базе от NXP? Или что я делаю не так?
Если к выходу рассматриваемой модели транзистора подключить нагрузку с импедансом Zl из даташита, то можно видеть отрицательную активную составляющую входного импеданса. Это означает, что напрямую согласовать на импеданс источника Zs (тем более из даташита) не получится. Во-первых невозможно изготовить пассивную согласующую цепь, имеющую отрицательное активное сопротивление, а во-вторых получим автогенератор.
Конечно можно считать, что модель транзистора неправильно работает. Однако такое поведение современных LDMOS транзисторов с большим усилением (порядка 27-30 дБ) на этих частотах - обычное дело. Не стоит этому удивляться. Прикрепил файлы проектов в AWRDE для 8,9 и 10 версии. Там как раз показан результат нелинейного моделирования BLF571 (библиотека NXP последней 8-й версии) в скорректированной схеме. Как видно импеданс нагрузки взят из даташита, а импеданс источника достаточно близок к значениям производителя. Коэффициент усиления, КПД, выходная мощность соответствуют типовым значениям из даташита. Таким образом, аналогично можно пересчитать импеданс источника и нагрузки и на другие частоты.
Сообщение отредактировал MePavel - Apr 30 2014, 19:15
Модель LDMOS NXP
Apr 22 2014, 20:11
