Регулировка резонансной частоты контура, коммутация конденсаторов Опции

[Катран]

Привет,

В наличии есть параллельный колебательный контур.
Катушка индуктивности имееи индуктивность - 500 мкГн (работает в качестве датчика).
Амплитуда сигнала в контуре - единицы милливольт.
Необходимо регулировать емкость параллельно подключенной емкости в пределах 100пФ - 500нФ для подстройки под частоту сигнала. (сигнал не является детерменированным по частоте, поэтому нужна плавная подстройка).
Имеется набор емкостей для установки любой емкости в пределах (100пФ - 500нФ).

Выбор остановился на коммутации конденсаторов герконами. Возможно ли это сделать на МОП-транзисторах или другим способом не внося существенной дополнительной емкости в контур?

[Proffessor]

В наличии есть параллельный колебательный контур.
Катушка индуктивности имеет индуктивность - 500 мкГн (работает в качестве датчика).
Амплитуда сигнала в контуре - единицы милливольт.
Необходимо регулировать емкость параллельно подключенной емкости в пределах 100пФ - 500нФ для подстройки под частоту сигнала. (сигнал не является детерменированным по частоте, поэтому нужна плавная подстройка).
Имеется набор емкостей для установки любой емкости в пределах (100пФ - 500нФ).
Выбор остановился на коммутации конденсаторов герконами. Возможно ли это сделать на МОП-транзисторах или другим способом не внося существенной дополнительной емкости в контур?

Идеально плавная подстройка вряд ли нужна, учитывая, что добротность катушки 500uH на частотах 10-700kHz обычно не превышает 20, полоса пропускания контура будет весьма широкая. Поэтому можно применить дискретный двоичный набор конденсаторов, включаемых параллельно. К примеру, 12-разрядный набор. Младший разряд 100pF, далее 200pF, 400pF ... 204800pF. Чем коммутировать, не суть важно, герконы, полевики, диоды, все равно добротность контура невысокая.