Всем спасибо за внимание и общение
Умные люди
Постигшие ДАО переключения IGBT
говорят
Что управляя зарядом (напряжением) затвора
можно не вводить транзистор в глубокое насышение
(оставлять его чууууточку недооткрытым)
При етом возрастут потери проводимости НО
Закрыть его будет значительно легчеи значительно упадут потери переключения !!!
Насколька реально такое рассуждение
Если ктото чтото знает об этом
или встречал схемы и литературу по этому поводу
пожалуйса дайте ссылку
Ещо видел в литературе вот какую строку
Постараюсь достовно
"Явление токового хвоста связано с конечным временем рассасывания
неосновных носителей в базе ИЖБТ
Так как база недоступна схематехнически бороться с Хвостом нельзя"
Это нетак
Запирая затвор отрицательным напряжением
удаеться сократить "Хвост" раза в полтора
Это видно как на моделе так и на макете
Спасибо
De}{teR