ЭМ-анализ кристалла транзистора, Кто-нибудь занимался подобными вещами? Опции

[Stefan1]

Доброго времени суток.
В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться?

[Maksa]

Не понятна суть вопроса.
У Вас нет возможности измерения S-параметров на пластине или S-параметров вообще? При желании можно померить S-параметры кристалла транзистора в корпусе с de-embedding'ом цепей.
Что вы хотите получить ЭМ-расчетом? Параметры эквивалентной схемы, S-параметры транзистора?

[Stefan1]

Не понятна суть вопроса.
У Вас нет возможности измерения S-параметров на пластине или S-параметров вообще? При желании можно померить S-параметры кристалла транзистора в корпусе с de-embedding'ом цепей.
Что вы хотите получить ЭМ-расчетом? Параметры эквивалентной схемы, S-параметры транзистора?

Нет возможности измерить S-параметры на пластине. Хочу получить S-параметры кристалла.
На сколько я понимаю вытащить параметры кристалла на фоне сопротивлений проволочек и др. паразитов с приемлемой точностью deembeding'ом достаточно сложно, если вообще возможно.
ЭМ-анализом думаю получить паразитные индуктивности и сопротивления металлических шин кристалла транзистор. В первом приближении можно зарисовать топологию шин и посчитать.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Feb 20 2015, 20:42