ЭМ-анализ кристалла транзистора, Кто-нибудь занимался подобными вещами? Опции

[Stefan1]

Доброго времени суток.
В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться?

[nik_us]

В связи с построением нелинейной модели транзистора возник вопрос в оценке параметров эквивалентной схемы самого кристалла транзистора. В зарубежных статьях для этих целей используют измерения S-параметров на пластине, но в моем случае это невозможно. Поэтому возник вопрос в целесообразности проведения электро-магнитного расчета кристалла транзистора. Кто-нибудь занимался чем-то подобным и стоит ли вообще за это браться?

Если есть нормальные исходные данные (gdsII, поперечное сечение подложки и описание слоев), то при должном умении точность ЭМ-анализа может быть достаточно высока. Для этих целей зачастую применяют 2,5D симуляторы, интегрированные, например, в ADS, IE3D, Sonnet, MWO и мн.др. СВЧ-САПР. В ряде зарубежных публикаций, когда у авторов не было возможности провести "честный" де-эмбеддинг, применяли результаты ЭМ-анализа. Статей на данный счет великое множество. Также нельзя отбрасывать фактор технологии: для А3В5 проще и точнее, чем для кремния_ИМХО.
Ситуация кардинально меняется, если есть только сам кристалл без исходных данных. Можно примерно оценить визуально средствами современной микроскопии длину МПЛ, размер КП и др.элементов, но точность будет весьма посредственная: достаточная для прикладных исследований, но не для построения "боевых" нелинейных моделей.
И опять же каков частотный диапазон применимости модели?