RF усилитель мощности на транзисторах, RF усилитель мощности на транзисторах MRFE6VP61K25N и BLF188XR Опции

[ASDFG123]

Заинтересовали транзисторы BLF188XR и MRFE6VP61K25N, хотелось бы сделать усилитель на них, и сразу же возникли вопросы, может кто уже работал сними и знает тонкости.
Вопросы возникли и теоретические и практические.
По схеме типовых усилителей из даташита: это push-pull ? или Doherty.
Где можно посмотреть топологию по которой их рассчитывали и литературу. На коаксиалах я так понял это балуны?
Повторить хотелось бы версию на полосках как в даташите у MRFE6VP61K25N с перерасчетом на 170-200 МГц.

А из практических вопросов: как лучше крепить транзистор, то есть варианты корпуса (1 с винтами и утапливаемый в радиатор, 2 без винтов и утапливаемый, 3 без винтов и не утапливаемый) и по поводу контакта фланца с теплораспределяющей пластиной, на нее надо наносить термопасту ? или припаивать или просто прижимать без термопасты ? (инженеры филипса просто прижимали через спец крепление-кроватку, радиолюбители вроде паять стараются).
И выбор материала, исходя из чего выбирать материал ? разные паллеты выполнены на разных материалах, ес-но разные проницаемости, но как выбирать толщину и материал какие преимущества у того другого ?
Спасибо.

[ASDFG123]

Спасибо, теперь понятно конденсатор 1000п, на землю, по вч соединяет. А индуктор L3 в виде хитро загнутой проволоки на схеме 12 для чего служит?

[tsww]

Спасибо, теперь понятно конденсатор 1000п, на землю, по вч соединяет. А индуктор L3 в виде хитро загнутой проволоки на схеме 12 для чего служит?

L3 компенсирует выходную емкость транзистора. Влияет на кпд и усиление на верхней границе частотного диапазона, но ограничивает нижнюю границу. Во многих балансных транзисторах она встроеная в сам транзистор.

[horgenn]

L3 компенсирует выходную емкость транзистора. Влияет на кпд и усиление на верхней границе частотного диапазона, но ограничивает нижнюю границу. Во многих балансных транзисторах она встроеная в сам транзистор.

Если речь идёт о широкополосном усилителе, то думаю, что следует моделировать каждый каскад на AWR. Добиваться хорошего КСВ для каждого каскада в отдельности. Без этого весь усилитель ведёт себя абсолютно не так, как обещают в datashhet.

[tsww]

Если речь идёт о широкополосном усилителе, то думаю, что следует моделировать каждый каскад на AWR. Добиваться хорошего КСВ для каждого каскада в отдельности. Без этого весь усилитель ведёт себя абсолютно не так, как обещают в datashhet.

Против идеи моделирования возразить трудно, даже если речь идет о однокаскадном УМ.
Что касается достижения хорошего КСВ, а обычно под этим понимают минимальное отклонение от 50(75) Ом, то скорее всего надо говорить о оптимальном входном и выходном импедансе каскада УМ. Например для данного усилителя в многокаскадном варианте входное сопротивление должно быть резистивным, ориентировочно 6 или 12 Ом, на что и должен быть расчитан предыдущий каскад. Если этот УМ однокаскадный, то скорее всего оптимальное входное сопротивление должно быть 50 Ом. А выходное 50 Ом и в том и другом случаях.
По датшиту - в нем приведены данные измерения в установке производителя. Чаще всего эта установка узкополосная, в ней компенсированы все реактивности, с целью получения данных самого транзистора, а не каскада на этом транзисторе. В датшите редко что "обещают" для каскада УМ, но для данного транзистора в датшите, кроме узкополосной измерительной установки, приведена и схема широкополосного усилителя. С большой долей вероятности она работоспособна.