реклама на сайте
подробности

 
 
> RF усилитель мощности на транзисторах, RF усилитель мощности на транзисторах MRFE6VP61K25N и BLF188XR
ASDFG123
сообщение Feb 25 2015, 05:45
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



Заинтересовали транзисторы BLF188XR и MRFE6VP61K25N, хотелось бы сделать усилитель на них, и сразу же возникли вопросы, может кто уже работал сними и знает тонкости.
Вопросы возникли и теоретические и практические.
По схеме типовых усилителей из даташита: это push-pull ? или Doherty.
Где можно посмотреть топологию по которой их рассчитывали и литературу. На коаксиалах я так понял это балуны?
Повторить хотелось бы версию на полосках как в даташите у MRFE6VP61K25N с перерасчетом на 170-200 МГц.

А из практических вопросов: как лучше крепить транзистор, то есть варианты корпуса (1 с винтами и утапливаемый в радиатор, 2 без винтов и утапливаемый, 3 без винтов и не утапливаемый) и по поводу контакта фланца с теплораспределяющей пластиной, на нее надо наносить термопасту ? или припаивать или просто прижимать без термопасты ? (инженеры филипса просто прижимали через спец крепление-кроватку, радиолюбители вроде паять стараются).
И выбор материала, исходя из чего выбирать материал ? разные паллеты выполнены на разных материалах, ес-но разные проницаемости, но как выбирать толщину и материал какие преимущества у того другого ?
Спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
ASDFG123
сообщение Mar 17 2015, 02:24
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Mar 18 2015, 06:09
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(ASDFG123 @ Mar 17 2015, 05:24) *
В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.

На самом деле выбор симуляторов небольшой. Вы же хотите расчитать не LNA, где можно обойтись S-параметрами, а нелинейный УМ, где необходима хорошая большесигнальная модель. А для мощных ВЧ транзисторов производитель чаще всего такие модели дает для ADS и AWR. С AWR попроще, а результат в обоих случаях примерно одинаков. Каких то "выбросов" в AWR не замечал. Ну если в Curcuit Options не установить погрешность 0.01 и хуже.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 27th June 2025 - 16:29
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01373 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016