по всем пунктам 1-4-- тут выирыша нет
есть выигрыш:
1. Если есть заливка полигонов--- в закруглениях он "ширше и соответсвенно или току лучше, или дифпаре (линии с согласованным импедансом) на смежном слое слой опорный лучше. Но это редкое явление (хотя у меня были и такие проекты), тем более на внешних слоях зазор до полигона как правило увеличенный
2. Если линия идет на этом слое, то можно уйти от прямого угла, сделав его под 45 градусов. Но это больше требования не плотного, а ВЧ монтажа. Там свои песни. и проводить рядом тоже не всегда допустимо. То есть тоже выигрыш спорный.
3. Сомнительно, но иногда проходит лишняя линия между 2-мя смежными скруглениями. Но тут либо раздвинуть их надо, либо PAD уменьшить, так что это действительно сомнительный выигрыш.
Но я перешел на скругления лет 10 назад, и не страдаю есть в этом выигрыш или нет.
Цитата
Вот на картинки. 1 Вывод Restance из-за этого в полигоне нет гарантированного мостика меди. Внизу, где обы вывода RoundRestance-- полигон прошел с достаточно широкой заливкой. На соседней картинке видно, что закругления позволили поставитm конденсаторы между сквозными VIA и избежать применения дорогостоящей HDI технологии
Еще дальше видно конденсатор по DDR3 там их целый ряд, потому стоят. Закругления позволиии "протянуть" одну из линий
Эскизы прикрепленных изображений