Цитата
1. Если есть заливка полигонов--- в закруглениях он "ширше и соответсвенно или току лучше, или дифпаре (линии с согласованным импедансом) на смежном слое слой опорный лучше. Но это редкое явление (хотя у меня были и такие проекты), тем более на внешних слоях зазор до полигона как правило увеличенный
Согласен, однако полагаю что это несколько сферический пример в вакууме, поскольку "вытягивать" дизайн подобными ухищрениями это что-то не то, хотя технически аргумент
абсолютно справедлив.
Цитата
2. Если линия идет на этом слое, то можно уйти от прямого угла, сделав его под 45 градусов. Но это больше требования не плотного, а ВЧ монтажа. Там свои песни. и проводить рядом тоже не всегда допустимо. То есть тоже выигрыш спорный.
RF это вообще отдельная тема, однако не совсем понял как прямоугольный пад может помешать прокладке трассы в 45гр- не могли бы Вы пояснить?
Цитата
3. Сомнительно, но иногда проходит лишняя линия между 2-мя смежными скруглениями. Но тут либо раздвинуть их надо, либо PAD уменьшить, так что это действительно сомнительный выигрыш.
Чересчур сомнительно
Цитата
Вот на картинки. 1 Вывод Restance из-за этого в полигоне нет гарантированного мостика меди. Внизу, где обы вывода RoundRestance-- полигон прошел с достаточно широкой заливкой. На соседней картинке видно, что закругления позволили поставитm конденсаторы между сквозными VIA и избежать применения дорогостоящей HDI технологии
Еще дальше видно конденсатор по DDR3 там их целый ряд, потому стоят. Закругления позволиии "протянуть" одну из линий
Пожалуй единственный вменяемый пример среди кучи местного гуро-мусора, технически полностью правильный- но согласитесь
Владимир, он верен(точнее уместен) для
конкретных параметров платы- т.е annular ring и геометрии переходных вообще а также геометрии трасс и соответствующих зазоров- т.е
случай подгонки топологии под требования конкретного производства.