Время включения транзистора, как оно выбирается? Опции

[Dima92]

Здрасьте, осталась пара вопросов (применительно к обратноходовой и прямоходовой топологиям ИП например), после прочтения бумажки :
http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=30537
1) Можно ли по полному заряду затвора рассчитывать время включения при определенном токе? Это достаточно достоверный параметр?
2) По какому параметру выбирать время включения - скорость изменения напряжения (dv/dt)?
Время обратного восстановления диода (сначала закрывать диод, а потом открывать транзистор)?
ЭМС (это мне не очень понятно как учесть)?

Например транзистор SPP11N80C3 Инфиниона, полный заряд затвора (при 13 В на нем) - 80 нКл. Ток в 2 А включит транзистор за 40 нс,
диод закроется за например 35 нс, при включении с 400 В dv/dt составит 10 В/нс, а транзистору можно 50.
Есть ли ошибки в таком рассуждении или все впорядке?

[wim]

Можно ли по полному заряду затвора рассчитывать время включения при определенном токе?

Можно - по заряду Миллера.

ЭМС

Для импульсов трапецевидной формы спад спектральных составляющих вначале составляет 20 дБ на декаду, а начиная с частоты 1/pi*tф - 40 дБ на декаду. Теоретически "завалив" фронт можно уменьшить уровень вч гармоник, но на практике этому сильно мешают паразитные резонансы схемы.