Здрасьте, осталась пара вопросов (применительно к обратноходовой и прямоходовой топологиям ИП например), после прочтения бумажки :
http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=305371) Можно ли по полному заряду затвора рассчитывать время включения при определенном токе? Это достаточно достоверный параметр?
2) По какому параметру выбирать время включения - скорость изменения напряжения (dv/dt)?
Время обратного восстановления диода (сначала закрывать диод, а потом открывать транзистор)?
ЭМС (это мне не очень понятно как учесть)?
Например транзистор SPP11N80C3 Инфиниона, полный заряд затвора (при 13 В на нем) - 80 нКл. Ток в 2 А включит транзистор за 40 нс,
диод закроется за например 35 нс, при включении с 400 В dv/dt составит 10 В/нс, а транзистору можно 50.
Есть ли ошибки в таком рассуждении или все впорядке?
Время включения транзистора, как оно выбирается?
May 24 2015, 14:50
