На чем сделать отключаемый полный мост?, с временами переключения 6-400нс, токами 10-50А и напряжением 20-100В Опции

[iiv]

Добрый день,

хочу сделать полный мост со варьируемыми временами включения каждого плеча от 5нс до 500нс (более точно, надо от 6нс до 400нс). Токи и напряжения тоже играют роль, надо бы 10-50А, при 20-50В (а может и 100В). Нагрузка - катушка примерно 3-10нГн (идут эксперименты с разными такими катушками).

При 5нс переключении токи нужны не такие большие (так как все равно больше 10А при 24В не закачать), а при 100нс и выше переключении хочется всего по максимуму. Управление от 4-ого стратикса.

Собрал пробный вариант на двух DEIC420 вместо мосфетов (то, что сейчас IXRFD630 называется). Все бы все хорошо, и почти то, что мне надо, но, есть одна проблема. Мне надо формировать импульсы на моей катушке втечение 1-2мкс (несколько или несколько десятков импульсов), а потом эту катушку от мосфет-драйверов отключать, чтобы не было короткозамкнутых на мосфет-драйвер витков. Вгон обоих мосфет-драйверов в + и в - не приносит пользы - они или через землю, или через питание коротко замыкаются. Пробовал отключить питание, но проблема остается.

Из способов устранения вижу:

1. последовательно с катушкой поставить два противонаправленных н-мосфета, их включать перед началом пульсов, и после окончания пульсов их выключать,
2. поставить у мосфет-драйверов питание через диод, отказавшись вообще от конденсаторов по питанию.
3. таки сделать полный мост на мосфетах, а не на мосфет драйверах.

Скажите, пожалуйста, какой из наименее сложных способов таки реализуем?

Спасибо!

ИИВ

[asdf]

3. таки сделать полный мост на мосфетах, а не на мосфет драйверах.

Думаю, реален только этот вариант.
Причем мост на p и n канальных парах, так что бы при переводе моста в 3-е состояние катушки были подвешены примерно на середине питания. В противном случае они будут зашунтированы большими сток-истоковыми емкостями (при низком напряжении), что по переменке будет близко к КЗ.
В качестве ключей до 60 В лучше паралелить десяток транзисторов типа irlml2060 (p-канальные есть такие же, точно не помню название), управление на них же, а развязка верхнего плеча на изоляторах si2410BB (150 Мбит) + шунтирующий низкоскоростной драйвер.. При правильной топологии можно будет получить фронты 3-4 нс и минимальные задержки. Меньше чем от DEIC и DE.
Ключ из десятка irlml2060 на 25В (полное питание 50В) даст около 200пф, а DEIC и DE в этих условиях дают более 1-2нФ шунтирующей емкости (да и габариты у сборки будут на порядок меньше). При коротком импульсе ток на один транзистор может быть более 5А (всего 50А).

[iiv]

Думаю, реален только этот вариант.
Причем мост на p и n канальных парах

спасибо большое, asdf, за совет, я думал, что там так все плохо, но не ожидал, что на столько!

По ходу возникло несколько вопросов, вдруг Вас, или кто также в теме, не затруднит помочь:

1. Правильно ли я понимаю, что в качестве драйвера десяти irlml2060 штук надо поставить еще один такой же irlml2060, вернее пару его и p канального мосфета? (я просто никогда так не делал, используя специализированные драйверы для этого).

2. У меня возникли сложности с поиском p канального мосфета с низким 5-6нс временем включения-выключения (6нс всего на включение, и распространение сигнала). Все, что находится, идет от 10нс. Вдруг Вам будет не сложно, посоветовать что-то подходящее, буду очень-очень благодарен!

3. Вдруг Вам будет не сложно разжевать Вашу фразу "si2410BB (150 Мбит) + шунтирующий низкоскоростной драйвер", во-первых, si2410BB не нашел, а во-вторых, почему низкоскоростной? Я так понимаю, что время срабатывания верхней и нижней половинок моста должны быть примерно одинаковы?

Спасибо!

ИИВ