транзистор с обратносмещенным переходом база-эммитер, в серийном устройстве Опции

[Dj_Atmex]

Добрый день!
Сразу скажу -- не нубы. Но в серийном устройстве просмотрели ситуацию, когда переходе база-эммитер NPN транзистора смещен в обратную сторону. Причем почти всегда во время работы устройства. Течет ток порядка 200 мкА. Переход получился как стабилитрон со напряжением пробоя 8 вольт.



Тестировали, все работает отлично, ничего не грелось и не сгорало. Вообще про это не думали.
Но в даташите вдруг оказалось, что так делать нельзя...


Насколько такое использование неправильно? Что будет при длительной эксплуатации?
Заранее благодарен за любые идеи.

Сообщение отредактировал Dj_Atmex - Jul 18 2015, 04:16

[Белый дед]

Трудно что-то доказать человеку, который когда-то непонятно что прочитал в книжках и сразу все забыл.
Напряжение пробоя эмиттерного перехода транзистора почти всех маломощных транзисторов от 5 до 6 вольт.
Это в чистом виде туннельный пробой. Кстати, именно поэтому такой стабилитрон почти не шумит.
Вы уж не позорьтесь своими рассуждениями про лавинный пробой.
Он ВСЕГДА, ПРИНЦИПИАЛЬНО, во всех приборах начинается на очень малом участке перехода.
И это никак не уменьшает срока работы п/п прибора.

Сообщение отредактировал Белый дед - Jul 18 2015, 06:33