реклама на сайте
подробности

 
 
> надежность MRAM MR25H40, кто нибудь испытывал MR25H40 на число циклов
kumle
сообщение Sep 14 2015, 13:26
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 149
Регистрация: 15-12-09
Из: Москва
Пользователь №: 54 280



Всем привет!
Собираемся использовать в проекте MRAM MR25H40 фирмы EVERSPIN http://www.everspin.com/family/mr25h40
В даташите написано unlimited write endurance.
Проект очень ответственный и планируется использовать в кач-ве буфера для хранения данных отправляемых по сети ethernet,
про бесконечное число записей что-то не верится, может кто проводил ресурсные испытания ?
Сам пока не делал так как плату только через месяц сделают.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
ZZZRF413
сообщение Oct 13 2015, 10:39
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 115
Регистрация: 26-07-09
Из: Нижний Новгород
Пользователь №: 51 578



Цитата(kumle @ Sep 15 2015, 11:29) *
Тогда сам попробую испытать когда плата придет!
Отпишусь тогда здесь может кому пригодится


При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

А по теме мне например вот такая статья попалась...
http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf
Go to the top of the page
 
+Quote Post
wangan
сообщение Oct 18 2015, 04:37
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 265
Регистрация: 30-11-05
Из: Омск
Пользователь №: 11 590



Цитата(ZZZRF413 @ Oct 13 2015, 16:39) *
При цикле в 35 нс, на проведение 10^14 циклов у Вас уйдет ~ 40 дней.

А по теме мне например вот такая статья попалась...
http://www.everspin.com/sites/default/file..._MRAM_Study.pdf


в этом документе же написано

4.2 Endurance
MTJ-based MRAM has virtually unlimited program/erase/read endurance, meaning you can
write/read/erase the memory array virtually forever without degrading the MTJ’s ability to change or
maintain its bit state. Toggling the magnetic moment of the free SAF layer to change bit state is a
nondestructive process as charge transport does not occur, except for a small tunnel current across the
AlOx barrier. MRAM datasheets typically quote about 10^15 cycles for their endurance specification. This
is effectively unlimited endurance as it takes over 300 years to write just 100,000 addresses even 10^12
times (assuming 100 ns write-cycle time).
MRAMs are expected to have very high endurance and testing to date has demonstrated this. One of the
largest customers of MRAM is Siemens. Siemens uses Everspin MRAM in over 250,000 systems and has
reported zero field failures
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 29th July 2025 - 00:30
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01357 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016