Цитата(kappafrom @ Nov 26 2015, 11:08)

А почему на внутренних слоях отдельными тонкими линиями до каждого пина питания, а не полигоном?
хз. может быть трассировщик решил так слои съэкономить.
Цитата
То есть источник располагался непосредственно рядом с плис в цифровой части схемы?
У того виртекса для MGT выведелена отдельная сторона чипа. И топологически получается что в той части удобно рапологать питание MGT и неудобно таскать что либо другое кроме выходов самого MGT. Так что вэтом плане проблем не было.
Цитата
при переходе с top опорный слой поменяется с земли на питание.
Как уже замечалось 3Gb это не так уж много. Многое зависит от длинны, 10см или 50см это несколько другие требования к трассировке. По поводу перехода на слой питания - да это не красиво. Но есть же конденсаторы, обьединяющие питание и землю по ВЧ. соотвественно правильно натыкав конденсаторов нужной емкости и размера можно попробовать это обойти и пустить возвратный ток по полигону питания (есстественно полигон должен сравним с землей и без разрывов). Никого же не смущают переходные отвертия между слоями земли рядом с переходом дифф. пары?