Питание MGT, xilinx multi-gigabit transceiver power supply Опции

[kappafrom]

всем привет. документ ug386 рекомендует прятать плейн питания для MGT во внутренних слоях между слоями земли. допустимо ли расположить источник питания и плейн на слое bottom, если в районе MGT на этом слое нет сигнальных трасс? плата будет стоять параллельно др. плате на расстоянии порядка 1 см.

[kappafrom]

В spartan 6 вроде бы нет внутренних конденсаторов, рекомендуют внешними фильтровать. А почему на внутренних слоях отдельными тонкими линиями до каждого пина питания, а не полигоном? То есть источник располагался непосредственно рядом с плис в цифровой части схемы?

Трудно добавить mgt в разведенную десятислойку со стеком:
Sig
Gnd
Sig
Pwr
Sig
Sig
Pwr
Sig
Gnd
Sig

По трассировке более менее свободны два центральных сигнальных слоя, при переходе с top опорный слой поменяется с земли на питание. Подскажете, как лучше сделать?

[Ant_m]

А почему на внутренних слоях отдельными тонкими линиями до каждого пина питания, а не полигоном?

хз. может быть трассировщик решил так слои съэкономить.

То есть источник располагался непосредственно рядом с плис в цифровой части схемы?

У того виртекса для MGT выведелена отдельная сторона чипа. И топологически получается что в той части удобно рапологать питание MGT и неудобно таскать что либо другое кроме выходов самого MGT. Так что вэтом плане проблем не было.

при переходе с top опорный слой поменяется с земли на питание.

Как уже замечалось 3Gb это не так уж много. Многое зависит от длинны, 10см или 50см это несколько другие требования к трассировке. По поводу перехода на слой питания - да это не красиво. Но есть же конденсаторы, обьединяющие питание и землю по ВЧ. соотвественно правильно натыкав конденсаторов нужной емкости и размера можно попробовать это обойти и пустить возвратный ток по полигону питания (есстественно полигон должен сравним с землей и без разрывов). Никого же не смущают переходные отвертия между слоями земли рядом с переходом дифф. пары?