емкость выводов микросъемы, как расчитать нагрузочную способоность вывода Опции

[addi II]

Здравствуйте!
Подскажите пожалуйста, кто действительно знает, как посчитать нагрузочную способность вывода
Пример, вывод адреса шины адреса проца, идет на 10 микросхем, в документации сказано про выходные токи при низком и высоком уровне и емкость вывода
Вопрос как посчтатать, и что брать за основу в случае, чтобы всем хватило и чтобы не было завалов.

Заранее благодарен!

Сообщение отредактировал addi II - Jun 3 2016, 07:52

[novikovfb]

Имеется источник тока (выход цифровой микросхемы), нагруженный на емкостную нагрузку (входы других цифровых микросхем). Надо посчитать, за какое время напряжение на емкости изменится с напряжения питания до максимально допустимого входного напряжения логического "0", а также - за какое время напряжение на емкости изменится с 0 до минимально допустимого входного напряжения логической "1".
Напряжение на конденсаторе при зарядке его постоянным током меняется по формуле: U=I*t/C, где U - напряжение в Вольтах, I - ток в Амперах, t - время в секундах, C - емкость в Фарадах. При подсчете емкости не забываем про емкость монтажа (печатные проводники и т.п.).


Сообщение отредактировал novikovfb - Jun 3 2016, 08:27

[addi II]

Имеется источник тока (выход цифровой микросхемы), нагруженный на емкостную нагрузку (входы других цифровых микросхем). Надо посчитать, за какое время напряжение на емкости изменится с напряжения питания до максимально допустимого входного напряжения логического "0", а также - за какое время напряжение на емкости изменится с 0 до минимально допустимого входного напряжения логической "1".
Напряжение на конденсаторе при зарядке его постоянным током меняется по формуле: U=I*t/C, где U - напряжение в Вольтах, I - ток в Амперах, t - время в секундах, C - емкость в Фарадах.

Большое спасибо, интересно а кто-нибудь встречал подобные выкладки в литературе или в апликейшинах?

[k155la3]

Большое спасибо, интересно а кто-нибудь встречал подобные выкладки в литературе или в апликейшинах?

Нэоднократна
В виде эквивалентных схем входов и выходов. Как правило, размещаются в конце RTFMов

[addi II]

Нэоднократна
В виде эквивалентных схем входов и выходов. Как правило, размещаются в конце RTFMов

а можно в студию хотя бы одну?)

[addi II]

подскажите пожалуйста, простой пример:
На выход одной микросземы нужно повесить несколько микросхем с однотипным входом(линия адреса нескольких срамок) у которой емкость нагрузки согласно спецификации 25 пФ
Микросхема(нагрузка) по входу - 6 пФ
Получается что на один выход можно вешать однотипный пин 4-х микросхем ?

[Herz]

нескольких срамок)

Нет такого слова.
А рассчитывая емкостную нагрузку, не забудьте ещё о ёмкости монтажа.

[addi II]

Нет такого слова.
А рассчитывая емкостную нагрузку, не забудьте ещё о ёмкости монтажа.

я имел ввиду микросхем СОЗУ
Да, про это буду иметь ввиду, когда в итоге пойму как считать, неужели просто емкости входов и выходов сравнить на равенство?
А частота здесь не имеет значение?
Например если у меня при этом 100 МГц b/s

[agregat]

я имел ввиду микросхем СОЗУ
Да, про это буду иметь ввиду, когда в итоге пойму как считать, неужели просто емкости входов и выходов сравнить на равенство?
А частота здесь не имеет значение?
Например если у меня при этом 100 МГц b/s

Частота безусловно имеет значения, но в даташитах приводят данные на самые тяжелые условия для микросхемы, поэтому если чип рассчитан на 250МГц максимум, то именно для этой частоты указана максимальная емкость по выходу.
Если не указано, то как считать.
Считать просто. Формула Q = C*U=I*T , найдете в вики.
Допустим у нас 100Мbps, длительность импульса 10ns, фронты соответственно берем по 10% то есть по 1ns. Фронты rise 1ns, fall 1ns.
Емкость по выходу не должна "завалить" эти фронты, поэтому добавляем еще по 1ns с обоих сторон, при условии нагрузки максимальной емкости .
Импульс при этом должен иметь фронты rise 2ns, fall 2ns, и полезное "тело" 6ns.
Время заряда с 10% до 90% от напряжения перехода из 0 в 1 определяется по размаху напряжения для выбранного стандарта.
Если скажем это CMOS, то Vmax=3.3V, U=3.3*0.9-3.3*0.1=3.3*0.8= 2.7V.
Максимальная нагрузочная способность по току пина дается всегда. Типовое значение I=20mA max.

Условия для формулы есть U=2.7V, I = 20mA, t=1ns. Тогда максимальная емкость для данного выхода.
Cload max = I*T/C = 20mA*1ns/2.7V = 6pF.

Получилось маловато, ну тут есть два пути. Пожертвовать фронтами и сделать их по 3ns, или уменьшить напряжение, используя другой стандарт.
Скажем CMOS 1.8V или LVDS 0.75. Общий смысл надеюсь понятен.

http://inst.cs.berkeley.edu/~ee40/su06/lec...s/lecture16.pdf
http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee40/fa...e/lecture31.pdf
http://www.edaboard.com/thread102711.html