Каскад на биполярных транзисторах Опции

[MW_des]

Здравствуйте, уважаемые форумчане, помогите разобраться с вопросом.

Имеется высокочастотный биполярный транзистор. Вот его ВАХ. Рабочую точку при включении с ОЭ выбрал следующую: Uc = 2 V, Ic = 20 mA, Ib = 200 uA (или где-то Ube = 0.85 V).


Коэффициент усиления (S21 и max gain - при условии согласования) в этой рабочей точке следующий:



Вопрос - как на этом транзисторе построить каскод? Задача стоит разработать усилитель мощности на каскоде, частота 5 Ггц, полоса 300 МГц, усиление 20 дБ.
1) как выбрать напряжение (или все-таки лучше задавать ток?) на базе второго транзистора (который включен с ОБ)? Исходя из каких соображений? Выбрал такой же ток базы как и у транзистора с ОЭ, получил следующее:



2) обязательно ли нужен конденсатор на базе второго биполярника? Понимаю, что это конденсатор фильтр по питанию, земля во ВЧ сигналу. Но по моему мнению он не должен ни на что особо влиять. Однако, если его убрать, то коэф.передачи падает на 20 дБ, а коэф. устойчивости выбирается из "минуса", но все равно ниже 1.

[MW_des]

Разработал схему со сложением мощности от нескольких транзисторов (каскодов). Есть немного глупый вопрос - как правильно параллелить каскод?


Результаты моделирования для всех 3 вариантов одинаковые. Может тут есть какие-то подводные камни? Сейчас использую схему включения 1, но иногда кажется что 2 или 3 схема более правильная что-ли.

[Proffessor]

Разработал схему со сложением мощности от нескольких транзисторов (каскодов). Есть немного глупый вопрос - как правильно параллелить каскод?
Результаты моделирования для всех 3 вариантов одинаковые. Может тут есть какие-то подводные камни? Сейчас использую схему включения 1, но иногда кажется что 2 или 3 схема более правильная что-ли.

Разработать схему и нарисовать схему - разные вещи. Разработка в конечном итоге предполагает выдачу рабочего образца, опытного, макетного. Если находитесь на стадии компьютерного моделирования, как говорится "еще не вечер". Варианты схем объединения в принципе равнозначны (а 2 и 3 в принципе одно и тоже), но если первый вариант удовлетворяет, продолжайте его внедрять в железо (в чип). 2 и 3 варианты могут потребовать установку в эмиттеры верхних транзисторов выравнивающих резисторов.

Сообщение отредактировал Proffessor - Jun 30 2016, 07:21

[MW_des]

Разработать схему и нарисовать схему - разные вещи. Разработка в конечном итоге предполагает выдачу рабочего образца, опытного, макетного. Если находитесь на стадии компьютерного моделирования, как говорится "еще не вечер". Варианты схем объединения в принципе равнозначны (а 2 и 3 в принципе одно и тоже), но если первый вариант удовлетворяет, продолжайте его внедрять в железо (в чип). 2 и 3 варианты могут потребовать установку в эмиттеры верхних транзисторов выравнивающих резисторов.

По топологии получается 1 вариант попроще, т.к. нет общей линии которая объединяет эмиттеры-коллекторы внутри каскода. И неясно, что будет если их объединить, т.к. для компьютерного моделирования нет разницы. Просто в одной статье нашел топологию где явно видно что есть общая шина для эмиттеров-коллекторов внутри каскода, это и смутило. До этого параллелил именно каскодное включение тр-ров.
А зачем будут нужны выравнивающие резисторы в эмиттерах?

[Proffessor]

А зачем будут нужны выравнивающие резисторы в эмиттерах?

Обычно их ставят для выравнивания токов, их номиналы небольшие, по несколько Ohm.