Проводимость в высоколегированном кремнии на СВЧ, Потери от поляризации Опции

[Stefan1]

Добрый день.
Если на брусок полупроводника заземленный с одной стороны пустить СВЧ ток - как можно классифицировать потери в нем?
Как я понимаю, во-первых, это потери от протекания тока в скин слое полупроводника (высоколегированного кремния с удельным сопротивлением 0,001 Ом*см). С этим все понятно.
А во-вторых есть еще потери от поляризации, но на сколько большой вклад они вносят всуммарные потери на частотах порядка 3 ГГц не понятно. Подскажите пожалуйста с этим вопросом.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Jul 27 2016, 06:28

[saab]

Добрый день.
Если на брусок полупроводника заземленный с одной стороны пустить СВЧ ток - как можно классифицировать потери в нем?
Как я понимаю, во-первых, это потери от протекания тока в скин слое полупроводника (высоколегированного кремния с удельным сопротивлением 0,001 Ом*см). С этим все понятно.
А во-вторых есть еще потери от поляризации, но на сколько большой вклад они вносят всуммарные потери на частотах порядка 3 ГГц не понятно. Подскажите пожалуйста с этим вопросом.

Вопрос не ясен. Как вы в проводник, пусть даже полу, запустите две поляризации СВЧ.
Желательно чертежик.
Это же вам не круглый волновод.

[Stefan1]

Вопрос не ясен. Как вы в проводник, пусть даже полу, запустите две поляризации СВЧ.
Желательно чертежик.
Это же вам не круглый волновод.

К примеру, плоский конденсатор заполнен полупроводником. На СВЧ по периметру этого полупроводнику образуется скин слой.
Под потерями на поляризацию имею ввиду то, что на переменном сигнале в полупроводнике диполи (молекулы или что-то еще)
крутятся вслед за сигналом, если они не успевают за сигналом, возникает задержка. При этом потери описываются тангенсом дельта.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Jul 27 2016, 09:53

[saab]

К примеру, плоский конденсатор заполнен полупроводником. На СВЧ по периметру этого полупроводнику образуется скин слой.
Под потерями на поляризацию имею ввиду то, что на переменном сигнале в полупроводнике диполи (молекулы или что-то еще)
крутятся вслед за сигналом, если они не успевают за сигналом, возникает задержка. При этом потери описываются тангенсом дельта.

Неописуемый тангенс дельта, описывает не только потери, но и мнимую часть эпсилон
коим он и является.
Нет в кремнии доменов крутящихся вслед, это вполне кристаллическая структура, особенно регулярная и чистая в эпитаксиальном слое, без всяка рода дислокаций и прочих дефектов. Скин эффекты образуются при протекании тока. Глубина проникновения зависит от частоты.
К слову сказать, что полупроводниковый эффект присутствует много где. В.ч в органике, там где что то реально крутится.