Испытания микросхем на ТЗЧ, Вопрос по условиям проведения подобных испытаний. Опции

[ST_Dante]

Всем привет!

Кто сталкивался, вопрос. Данный вид испытания микросхема проходит со снятой крышкой, или же крышка есть. Спасибо!

[Sanyao]

Lerk, есть где-то информация по испытаниям на ТЗЧ в Сарове? Что то я об этом не слышал, интересно было бы посмотреть.

net, посмотрите внимательно на картинку. Это спектры по ЛПЭ. Похожие спектры приведены и в нормативных документах и они отличаются для разных орбит. Исходя из условий на орбите, т.е. спектра и условий по безотказности, заданных в ТЗ, определяются требования по стойкости. Испытания проводятся на соответствие этим требованиям.
Что энергия и ЛПЭ разные вещи я написал. Что Вы считаете неверным? Может быть Вы считаете , что если ионы из ускорителей не могут пройти крышку корпуса, то и ионы в космосе не смогут?
Максимальное значение ЛПЭ зависит от типа иона (определяется пиком Брэгга) а пробег зависит от начальной энергии иона. При испытаниях стараются работать так, чтобы пик Брэгга был в чувствительном объеме схемы. Достигается это подбором энергии иона на поверхности кристалла.
Теперь про энергию.
На выходе из ускорителя имеем моноэнергетический пучок. При открытом кристалле проблем нет. Энергия на поверхности одинакова для всех ионов. В случае налачия корпуса мы должны его "пробить" и здесь есть неопределенности. Во первых торможение ионов происходит неравномерно, степень торможения сильно зависит от материала корпуса, да и тормозится каждый ион по разному. Так на выходе из корпуса имеем уже не совсем или совсем не моноэнергетический пучок. Дополнительнт мы должны задать иону такую энергию, чтобы ему хватило на "пробитие" корпуса. Если умеете пользоваться, например SRIM, прикиньте, какая должна быть энергия у иона, чтобы пройти хотя бы полмиллиметра пластика. Ну там можно оценить и разброс по энергии на выходе.