Испытания микросхем на ТЗЧ, Вопрос по условиям проведения подобных испытаний. Опции

[ST_Dante]

Всем привет!

Кто сталкивался, вопрос. Данный вид испытания микросхема проходит со снятой крышкой, или же крышка есть. Спасибо!

[Sanyao]

Lerk, есть где-то информация по испытаниям на ТЗЧ в Сарове? Что то я об этом не слышал, интересно было бы посмотреть.

net, посмотрите внимательно на картинку. Это спектры по ЛПЭ. Похожие спектры приведены и в нормативных документах и они отличаются для разных орбит. Исходя из условий на орбите, т.е. спектра и условий по безотказности, заданных в ТЗ, определяются требования по стойкости. Испытания проводятся на соответствие этим требованиям.
Что энергия и ЛПЭ разные вещи я написал. Что Вы считаете неверным? Может быть Вы считаете , что если ионы из ускорителей не могут пройти крышку корпуса, то и ионы в космосе не смогут?
Максимальное значение ЛПЭ зависит от типа иона (определяется пиком Брэгга) а пробег зависит от начальной энергии иона. При испытаниях стараются работать так, чтобы пик Брэгга был в чувствительном объеме схемы. Достигается это подбором энергии иона на поверхности кристалла.
Теперь про энергию.
На выходе из ускорителя имеем моноэнергетический пучок. При открытом кристалле проблем нет. Энергия на поверхности одинакова для всех ионов. В случае налачия корпуса мы должны его "пробить" и здесь есть неопределенности. Во первых торможение ионов происходит неравномерно, степень торможения сильно зависит от материала корпуса, да и тормозится каждый ион по разному. Так на выходе из корпуса имеем уже не совсем или совсем не моноэнергетический пучок. Дополнительнт мы должны задать иону такую энергию, чтобы ему хватило на "пробитие" корпуса. Если умеете пользоваться, например SRIM, прикиньте, какая должна быть энергия у иона, чтобы пройти хотя бы полмиллиметра пластика. Ну там можно оценить и разброс по энергии на выходе.

[net]

Может быть Вы считаете , что если ионы из ускорителей не могут пройти крышку корпуса, то и ионы в космосе не смогут?

я понимаю что вы имели в виду совсем другое чем то, что написали. но смотрится -типа физика на земле в и космосе совсем другая - тогда вопрос зачем проводить испытания на земле если в космосе все по другому?

Максимальное значение ЛПЭ зависит от типа иона (определяется пиком Брэгга) а пробег зависит от начальной энергии иона. При испытаниях стараются работать так, чтобы пик Брэгга был в чувствительном объеме схемы. Достигается это подбором энергии иона на поверхности кристалла.
Теперь про энергию.
На выходе из ускорителя имеем моноэнергетический пучок. При открытом кристалле проблем нет. Энергия на поверхности одинакова для всех ионов. В случае налачия корпуса мы должны его "пробить" и здесь есть неопределенности. Во первых торможение ионов происходит неравномерно, степень торможения сильно зависит от материала корпуса, да и тормозится каждый ион по разному. Так на выходе из корпуса имеем уже не совсем или совсем не моноэнергетический пучок. Дополнительнт мы должны задать иону такую энергию, чтобы ему хватило на "пробитие" корпуса. Если умеете пользоваться, например SRIM, прикиньте, какая должна быть энергия у иона, чтобы пройти хотя бы полмиллиметра пластика. Ну там можно оценить и разброс по энергии на выходе.

все что вы написали говорит о том, снимают лишь для того чтобы проще было получить энергию(достоверную - которую можно записать в бумажку) в самом кристалле для достижения нормативных параметров
и это на самом деле мало имеет отношение к стойкости как функционала устройства

для примера
пусть есть кристал 10 см**2 и на нем есть 1 мкм**2 который даст защелку и выведет весь кристалл из строя
возникает вопрос стойкий это кристалл к ТЗЧ или нет?

при ваших испытаниях - (если вы еще попадете в этот 1 мкм**2, что может оказаться очень проблемматично - кстати в этом случае лазерный имитатор на тзч даст большую вероятность обнаружения этой области, кстати и испытания проводят под разными углами для этих же целей чтобы отдать энергию похитрее) такой кристалл будет не радстойкий. если же я сделаю микросхему так что она будет в виде кубика 3 грамм кремния и в объеме будет сделана сама микросхема(как вы отличите где корпус и где кристалл и это не будет корпус - то ваши испытания покажут что микросхема стойкая поскольку брэг не достигнет при ваших энергиях частиц нужной области и чтот тогда?
однако (дублирование в космосе делают всегда, а то и троирование- дублирование) и если сделать еще защиту 3 грамма ( тогда пик брэгга окажется в защите для частиц ТЗЧ с энергией до 50МЭВ)то какова вероятность, что данное устройство не будет "радстойкое"? и какова вероятность отказа от других причин? например прилетит Чебаркульский метеорит

формально кристалл не радстойкий по ЛПЭ нормативу. но как вы говорите где гарантия, что частица с большой энергии пройдя вдоль кристалла и не сделает в нем дырку? это будет радстойкое?

я выдаю мысль о том - что формальное удовлетворение по ЛПЭ не говорит о "радстойкости". особенно еще в в свете того что от тзч "нет защиты" и все должно давать нужный ЛПЕ

для примера космический корабль ЗЕМЛЯ - на нем спокойно работают не радстойкие компьютеры
(не будем обсуждать почему - это и так надеюсь всем ясно )

итак резюме - поправьте если неправ
корпус вскрывают чтобы при испытаниях можно было написать в бумажке ЛПЭ в кристалле - иначе все очень сложно для получения ЛПЭ в кристалле
(хотя медики за счет якобы точного расчета брегга в теле пациента разрущают раковые клетки)

правда никто не знает какой вред наносится при снятии корпуса и как это влияет на радстойкость - улучшает ее или ухудшает