Моделирование трассировки ВЧ-части платы Опции

[m@xim]

Здравствуйте!

Подскажите, пожалуйста, возможно ли моделировать текущую топологию вч-части платы (микрополоск"и, изгиб линии, зазоры между линиями и сосредоточенными элементами и так далее) для ее дальнейшей оптимизации?

Может быть есть пакеты, которые позволяют импортировать проекты в формате pcb и анализировать их, может быть доступны еще какие-нибудь варианты?

Заранее спасибо!

[evgdmi]

Спасибо! Сейчас проработаю эту версию как основную. С наскока и конвертировать пока не удалось.

Если Ваша топология имеет зазоры, в которые включены сосредоточенные элементы, не имеющие связанной с ними топологии, то и конвертирование может вызывать проблемы. Если Ваша схема не слишком сложная, то может быть при использовании Microwave Office проще создать нужную схему заново, используя имеющиеся элементы в Microwave Office и для ЕМ анализа топологии использовать экстракцию.

[m@xim]

Если Ваша топология имеет зазоры, в которые включены сосредоточенные элементы, не имеющие связанной с ними топологии, то и конвертирование может вызывать проблемы. Если Ваша схема не слишком сложная, то может быть при использовании Microwave Office проще создать нужную схему заново, используя имеющиеся элементы в Microwave Office и для ЕМ анализа топологии использовать экстракцию.

К сожалению, не совсем понял, что вы имели ввиду. В любом случае конвертирование пока вызывает проблемы. Буду пробовать, как мне посоветовали ниже - конвертировать через AutoCad. Потому что при прямой конвертации dxf в CST создаются порядка 7 тысяч полигонов с нулевой толщиной. Их объединение в одну структуру довольно трудозатратно по времени.

Под "шириной" понимается толщина? Если так, то порядок действий такой:
1. Из программы где вы делаете разводку экспортируете DXF. Рекомендую открыть его в Автокаде или чем то подобном (там, при необходимости обвести контуры вашей топологии)
2. Импортируете DXF в MO
3. Настраиваете параметры проекта
4. Создаете ЭМ структуру, в которую помещаете свой DXF
5. В ЭМ структуре указываете необходимые параметры (толщина и диэлектрическая проницаемость диэлектрика, кол-во слоев и т.д.)
6. Расставляете порты. Порты возбуждения и порты перемычки (важно обратить внимание что в ЭМ структуре порты всегда 50 ом)
7. Если хотите произвести расчет со сосредоточенными эл-тами, тогда добавляете свою схему в линейный симулятор в качестве подсхемы (subcircuit)
8. Расставляете порты и элементы в соответствии со схемой и обозначением в ЭМ структуре. (Здесь уже можно, при необходимости, изменить импеданс портов)
9. Симулируете.

Ничего сложного. Такая метода хорошо работает для моделирования маломощных усилителей.

Спасибо большое за подробный план действий! Под шириной имел ввиду, конечно, толщину. Вы правильно поняли. Это моя ошибка-опечатка.
Во 2 пункте вы ведь имеете ввиду пакет AWR Microwave Office? С наскока это все сделать не получится у меня, так как в AWR я работал только с фильтрами на сосредоточенных элементах. Но сегодня же приступлю к изучению мануалов от Дмитривева Е.Е.
По крайней мере становится более понятно, в каком(-их) направлении(-ях) продвигаться. Спасибо!

С портами там много нюансов, надо точно знать какой тип ставить.

Ну волноводный, как минимум, не подходит точно под требуемые задачи)