Помощь - Поиск - Пользователи - Календарь
Полная версия этой страницы: Моделирование трассировки ВЧ-части платы
Форум разработчиков электроники ELECTRONIX.ru > Аналоговая и цифровая техника, прикладная электроника > Rf & Microwave Design
m@xim
Здравствуйте!

Подскажите, пожалуйста, возможно ли моделировать текущую топологию вч-части платы (микрополоск"и, изгиб линии, зазоры между линиями и сосредоточенными элементами и так далее) для ее дальнейшей оптимизации?

Может быть есть пакеты, которые позволяют импортировать проекты в формате pcb и анализировать их, может быть доступны еще какие-нибудь варианты?

Заранее спасибо!
KSANDER
Добрый день.
Посмотрите в сторону ADS.
https://community.keysight.com/community/ke...rf-board-design

Хотя если у Вас основной уклон на анализ именно топологии без реальных моделей сосредоточенных элементов, то проще в Genesys.
m@xim
Цитата(KSANDER @ Aug 25 2016, 15:28) *
Добрый день.
Посмотрите в сторону ADS.
https://community.keysight.com/community/ke...rf-board-design

Хотя если у Вас основной уклон на анализ именно топологии без реальных моделей сосредоточенных элементов, то проще в Genesys.


Спасибо большое за ответ! Изучу информацию об этих продуктах.
Mishuroff
Цитата(m@xim @ Aug 24 2016, 17:33) *
Может быть есть пакеты, которые позволяют импортировать проекты в формате pcb и анализировать их, может быть доступны еще какие-нибудь варианты?


Можно конвертировать необходимый слой, например в DXF и импортировать его в Microwave Office. Останется только задать условия и расставить порты.
m@xim
Цитата(Mishuroff @ Aug 25 2016, 21:58) *
Можно конвертировать необходимый слой, например в DXF и импортировать его в Microwave Office. Останется только задать условия и расставить порты.


Спасибо! Сейчас проработаю эту версию как основную. С наскока и конвертировать пока не удалось. Хотелось бы задать ширину слоя, но конвертируемый слой имеет нулевую толщину. Хотя думаю если назначить элементам материал РЕС и "подставить" под них диэлектрик с экраннированной нижней частью получится вполне себе проект. Но дальше конечно будет вопрос с заданием портов. Как я понимаю в этом случае мой вопрос должен плавно перетечь в ветку CST? Порты наверное задавать стоит дискретные? На волноводные порты есть серьезные ограничения по ширине и высоте, плюс волноводный порт не получится "воткнуть" в центр структуры, где заканчивается одна из полосковых линий передачи.
evgdmi
Цитата(m@xim @ Aug 26 2016, 14:00) *
Спасибо! Сейчас проработаю эту версию как основную. С наскока и конвертировать пока не удалось.

Если Ваша топология имеет зазоры, в которые включены сосредоточенные элементы, не имеющие связанной с ними топологии, то и конвертирование может вызывать проблемы. Если Ваша схема не слишком сложная, то может быть при использовании Microwave Office проще создать нужную схему заново, используя имеющиеся элементы в Microwave Office и для ЕМ анализа топологии использовать экстракцию.
agregat
Цитата(m@xim @ Aug 26 2016, 14:00) *
Спасибо! Сейчас проработаю эту версию как основную...

С портами там много нюансов, надо точно знать какой тип ставить.
Mishuroff
Цитата(m@xim @ Aug 26 2016, 15:00) *
Спасибо! Сейчас проработаю эту версию как основную. С наскока и конвертировать пока не удалось. Хотелось бы задать ширину слоя, но конвертируемый слой имеет нулевую толщину. Хотя думаю если назначить элементам материал РЕС и "подставить" под них диэлектрик с экраннированной нижней частью получится вполне себе проект. Но дальше конечно будет вопрос с заданием портов. Как я понимаю в этом случае мой вопрос должен плавно перетечь в ветку CST? Порты наверное задавать стоит дискретные? На волноводные порты есть серьезные ограничения по ширине и высоте, плюс волноводный порт не получится "воткнуть" в центр структуры, где заканчивается одна из полосковых линий передачи.


Под "шириной" понимается толщина? Если так, то порядок действий такой:
1. Из программы где вы делаете разводку экспортируете DXF. Рекомендую открыть его в Автокаде или чем то подобном (там, при необходимости обвести контуры вашей топологии)
2. Импортируете DXF в MO
3. Настраиваете параметры проекта
4. Создаете ЭМ структуру, в которую помещаете свой DXF
5. В ЭМ структуре указываете необходимые параметры (толщина и диэлектрическая проницаемость диэлектрика, кол-во слоев и т.д.)
6. Расставляете порты. Порты возбуждения и порты перемычки (важно обратить внимание что в ЭМ структуре порты всегда 50 ом)
7. Если хотите произвести расчет со сосредоточенными эл-тами, тогда добавляете свою схему в линейный симулятор в качестве подсхемы (subcircuit)
8. Расставляете порты и элементы в соответствии со схемой и обозначением в ЭМ структуре. (Здесь уже можно, при необходимости, изменить импеданс портов)
9. Симулируете.

Ничего сложного. Такая метода хорошо работает для моделирования маломощных усилителей.
m@xim
Цитата(evgdmi @ Aug 26 2016, 19:46) *
Если Ваша топология имеет зазоры, в которые включены сосредоточенные элементы, не имеющие связанной с ними топологии, то и конвертирование может вызывать проблемы. Если Ваша схема не слишком сложная, то может быть при использовании Microwave Office проще создать нужную схему заново, используя имеющиеся элементы в Microwave Office и для ЕМ анализа топологии использовать экстракцию.


К сожалению, не совсем понял, что вы имели ввиду. В любом случае конвертирование пока вызывает проблемы. Буду пробовать, как мне посоветовали ниже - конвертировать через AutoCad. Потому что при прямой конвертации dxf в CST создаются порядка 7 тысяч полигонов с нулевой толщиной. Их объединение в одну структуру довольно трудозатратно по времени.

Цитата(Mishuroff @ Aug 28 2016, 22:13) *
Под "шириной" понимается толщина? Если так, то порядок действий такой:
1. Из программы где вы делаете разводку экспортируете DXF. Рекомендую открыть его в Автокаде или чем то подобном (там, при необходимости обвести контуры вашей топологии)
2. Импортируете DXF в MO
3. Настраиваете параметры проекта
4. Создаете ЭМ структуру, в которую помещаете свой DXF
5. В ЭМ структуре указываете необходимые параметры (толщина и диэлектрическая проницаемость диэлектрика, кол-во слоев и т.д.)
6. Расставляете порты. Порты возбуждения и порты перемычки (важно обратить внимание что в ЭМ структуре порты всегда 50 ом)
7. Если хотите произвести расчет со сосредоточенными эл-тами, тогда добавляете свою схему в линейный симулятор в качестве подсхемы (subcircuit)
8. Расставляете порты и элементы в соответствии со схемой и обозначением в ЭМ структуре. (Здесь уже можно, при необходимости, изменить импеданс портов)
9. Симулируете.

Ничего сложного. Такая метода хорошо работает для моделирования маломощных усилителей.


Спасибо большое за подробный план действий! Под шириной имел ввиду, конечно, толщину. Вы правильно поняли. Это моя ошибка-опечатка.
Во 2 пункте вы ведь имеете ввиду пакет AWR Microwave Office? С наскока это все сделать не получится у меня, так как в AWR я работал только с фильтрами на сосредоточенных элементах. Но сегодня же приступлю к изучению мануалов от Дмитривева Е.Е.
По крайней мере становится более понятно, в каком(-их) направлении(-ях) продвигаться. Спасибо!

Цитата(agregat @ Aug 27 2016, 04:04) *
С портами там много нюансов, надо точно знать какой тип ставить.


Ну волноводный, как минимум, не подходит точно под требуемые задачи)
Mishuroff
Цитата(m@xim @ Aug 29 2016, 12:11) *
Во 2 пункте вы ведь имеете ввиду пакет AWR Microwave Office? ...


Да, Microwave Office.
Для просмотра полной версии этой страницы, пожалуйста, пройдите по ссылке.
Invision Power Board © 2001-2025 Invision Power Services, Inc.