Такое может быть только если напряжение затвор-исток, равное в данном случае падению напряжения на сопротивлении канала транзистора, будет соответствовать омической области выходной характеристики транзистора. То есть при относительно низком сопротивлении нагрузки, высоком сопротивлении канала транзистора и низком пороговом напряжении. В общем случае - нет, нельзя полагать. Обычно при работе MOSFET в ключевом режиме падения напряжения на нем не превышает 1 В, поэтому напряжение на затворе должно превышать напряжения на стоке. Именно для этого и ставят бутстрепные цепи либо трансформаторную развязку для управления N-канальным MOSFET в качестве верхнего ключа.
|