Цитата(jaqombo @ May 23 2017, 07:21)

Я поменял транзисторы Q1 и Q6. Теперь появилась синусоида, идет усиление.
Q4 сейчас правильной проводимости, но нужно К и Э поменять местами.
Ёмкость C3(вольтодобавка) нужно увеличить с 0.2µF до 220-470µF.
В той
курсовой в выходном каскаде применены составные транзисторы КТ829+КТ829(оба ошибочно NPN), поэтому он однокаскадный. Нижний составной транзистор подойдёт КТ853(PNP), либо собрать двухкаскадный выход на обычных, не составных транзисторах.
В цепи термостабилизации увеличить падение напряжения, заменив D1 на два-три таких же диода, соединённые последовательно.