Какая разница между параметрами Vceo и Vces биполярного транзистора Опции

[rfengin]

Для биполярника BFR380F приведены два максимальных напряжения коллектор-эмиттер - Vceo и Vces. Vceo = 6 В а Vces = 15 В - разница более чем в 2 раза. Не могу понять в чем разница между этими напряжениями и какое максимальное напряжение можно подавать на коллектор в схеме с общим эмиттером?

[rfengin]

Спасибо, Maksa.

Не могу теперь понять какое напряжение к какому случаю применимо.
В ключевом режиме работы по схеме с ОЭ база, либо подтягивается к эмиттеру (земле), либо на ней падает 0,8 - 1 В от протекания тока базы - то есть вроде бы ХХ нет.
В режиме усилителя классов А и АВ также собранных по схеме ОЭ (наверное самые распространенные режимы усилителей) база смещена по постоянному току и на ней падает постоянное напряжение 0,6 - 0,8 В и при протекании через базу переменного тока напряжение на базе будет изменяться на несколько десятых долей вольта в одну и другую сторону.
То есть вроде бы режима ХХ на базе нет в указанных применениях.
Какое максимальное напряжение К-Э можно прикладывать к транзистору по схеме с ОЭ?
Конечно, можно принять максимальным напряжение К-Э 6 В и в большинстве приложений этого будет достаточно, но для других транзисторов Vceo может оказаться совсем малым. Например, для BFP620F оно равно всего лишь 2,3 В.
Надежной ли будет схема усилителя на BFR380F с питанием 5 В и смещением 4 В (с точки зрения максимального напряжения)?

[MePavel]

Не могу теперь понять какое напряжение к какому случаю применимо.

Напряжение питания и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - это два разных понятия. И я бы рекомендовал Вам для начала определиться с этим.
Если нет времени вдаваться в теорию, то надёжным вариантом является использование напряжения питания из даташита. Для BFR380 это Vce=3 V, хотя там же написано Collector design supports 5 V supply voltage.

В ключевом режиме работы по схеме с ОЭ база, либо подтягивается к эмиттеру (земле), либо на ней падает 0,8 - 1 В от протекания тока базы - то есть вроде бы ХХ нет.

Всегда считал, что в ключевом режиме при размыкании "ключа" база "потягивается" не то, чтобы к эмиттеру, а случае NPN транзистора на ней даже должен присутствовать отрицательный потенциал. Т.е. эмиттерный переход должен быть обратно смещён.

Надежной ли будет схема усилителя на BFR380F с питанием 5 В и смещением 4 В (с точки зрения максимального напряжения)?

Напряжение питания в 5 В, по-видимому, является верхним допустимым пределом. Поэтому при Vce=5 V необходимо более тщательно подойти к анализу тепловых режимов работы и учету перенапряжений коллектор-эммитер транзистора при работе на допустимую рассогласованную нагрузку. Тоже относится и к выбору рабочей точки, т.е. тока коллектора в режиме покоя.
Насчет смещения в 4 В ничего не понял.

[rfengin]

Напряжение питания и максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - это два разных понятия. И я бы рекомендовал Вам для начала определиться с этим.
Если нет времени вдаваться в теорию, то надёжным вариантом является использование напряжения питания из даташита. Для BFR380 это Vce=3 V, хотя там же написано Collector design supports 5 V supply voltage.

Всегда считал, что в ключевом режиме при размыкании "ключа" база "потягивается" не то, чтобы к эмиттеру, а случае NPN транзистора на ней даже должен присутствовать отрицательный потенциал. Т.е. эмиттерный переход должен быть обратно смещён.

Напряжение питания в 5 В, по-видимому, является верхним допустимым пределом. Поэтому при Vce=5 V необходимо более тщательно подойти к анализу тепловых режимов работы и учету перенапряжений коллектор-эммитер транзистора при работе на допустимую рассогласованную нагрузку. Тоже относится и к выбору рабочей точки, т.е. тока коллектора в режиме покоя.
Насчет смещения в 4 В ничего не понял.

Напряжение коллектор-эмиттер - это напряжение питания минус падение напряжения на коллекторном резисторе и на эмиттерном резисторе (если он есть). Это я понимаю.
Очень часто в ключевом режиме транзистор просто к земле подтягивают.
Допустим, что ток смещения коллектора равен 10 мА и даже при напряжении коллектор-эмиттер равном 6 В транзистору далеко до перегрева. Какое максимальное напряжение смещения коллектор-эмиттер, а также напряжение питания можно подавать на транзистор?
Вообщем вопрос так и остался открытым - для каких случаев (или для каких схем) указано напряжение Vces = 15 В?