работа транзистора с ОЭ, немного теории Опции

[Метценгерштейн]

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?
Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

[alexvu]

Как я себе это представляю.
Коллекторный переход как диод закрыт обратным полем, т.е. в нем неоткуда взяться подвижным зарядам и тока нет.
Но эмиттерный переход при прямом напряжении (и токе) заполняется движ. зарядами.
Дальше часть этих зарядов попадает тонкий базовый слой (который вплотную граничит с эмиттерным переходом).
Далее часть этих зарядов попадает в запирающий слой коллекторного перехода и уж там захватываются полем и "летят" к коллектору, т.е. создают ток.
А так как эмиттер делается маленьким, а коллектор большим, а слой базы тоньше длины свободного пробега, то бОльшая часть зарядов "улетает" к коллектору.
(например, у npn-транзистора эмиттер выглядит как узкая площадка в центре полуцилиндра, слой базы вокруг него, а еще дальше по радиусу - коллекторный слой и далее "тело" кристалла-подложки).
Примечание. Под движущимися зарядами понимать электроны и дырки соответственно, направление - условное в зависимости от структуры транзистора.

[Tarbal]

Как я себе это представляю.
Коллекторный переход как диод закрыт обратным полем, т.е. в нем неоткуда взяться подвижным зарядам и тока нет.
Но эмиттерный переход при прямом напряжении (и токе) заполняется движ. зарядами.
Дальше часть этих зарядов попадает тонкий базовый слой (который вплотную граничит с эмиттерным переходом).
Далее часть этих зарядов попадает в запирающий слой коллекторного перехода и уж там захватываются полем и "летят" к коллектору, т.е. создают ток.
А так как эмиттер делается маленьким, а коллектор большим, а слой базы тоньше длины свободного пробега, то бОльшая часть зарядов "улетает" к коллектору.
(например, у npn-транзистора эмиттер выглядит как узкая площадка в центре полуцилиндра, слой базы вокруг него, а еще дальше по радиусу - коллекторный слой и далее "тело" кристалла-подложки).
Примечание. Под движущимися зарядами понимать электроны и дырки соответственно, направление - условное в зависимости от структуры транзистора.

Всегда знал, что коллектор делается большим оттого, что там больше мощность выделяется чем на эмиттере, но в том что вы говорите тоже есть резон.