Полигоны и плейны Опции

[romaro]

Возьмём к примеру BGA с шагом 0.8
Вариант первый - во внутреннем слое используем полигон для организации земли или питания. Смотрим у резонита, например, зазор площадка-огибающий полигон на внутренних слоях 0,200 до 0,150. Будем использовать минимальный виас 0.2 - 0.4, в итоге получается 0.8 - 0.4 - 0.15*2 = 0.1 - это металл полигона между виасами не относящимися к питанию.
Вариант второй - используем плейн. При использовании плейна поясок виаса в данном слое 'пропадает' (но сами мы его не трогали, если посмотреть свойства виас то он там есть). Я правильно понимаю?
Если так то - смотрим у того же производителя - зазор металлизированное отверстие без площадки-проводник/полигон на внутренних слоях 0,35 до 0,250.
0.8 - 0.2 - 0.25*2 = 0.1 - те же 0.1 мм
Понятно что это в только в самом узком месте, но всё же не мало ли ? Или я что то не так понимаю ?
Кто что чаще использует полигоны или плейны и почему (рассматриваем тот случай когда не предполагается кроме, например, питания проводить сигнальные линии)?

[ViKo]

Так они же не сплошными полями идут, земли и питания в микросхеме. Плоскость вокруг обойдет, доберется до переходного отверстия.