Да, Вы знаете, то что разница в частотах на данный момент не важно, главное они вобщем-то рядом. Меня, как я уже говорил, смутила величина стабилизирующего резистора в цепи стока. Возможно я не прав, но я просто сравнил эту схему с реально существующими, правда собраны они на других транзисторах. Возможно поэтому там стоят резисторы меньших номиналов, обычно 10-50 Ом, но с другой стороны на таком транзисторе и на данный диапазон частот схемы я вообще не встречал.
Только что я заменил TLine в схеме на MLine, чтобы создать layout (с TLine печатка у меня не получается) и собрать усилитель. Параметры линий и номиналы элементов, естественно пришлось скорректировать в небольших пределах. На отрицательное смещение поставлю ICL7660ESA, по моему классная мс для подобных конструкций.
Ещё есть один вопрос: в параметрах Substrates указывается величина Er и ErNom. Так вот - Er, как я понимаю, это диэлектрическая проницаемость самого материала (стеклотекстолита в данном случае), а вот ErNom непонятно. Обычно я ставлю одинаковые числа и там и там, возможно это не правильно? Проницаемость материала, с которым сейчас экспериментирую 4,85 - это число я и ставлю в обоих пунктах. Это правильно или нет? Есть ещё эффективная диэлектрицеская проницаемость Eeff - с ней всё понятно. Она зависит от конкретных параметров линии и считается в TXline довольно просто.
|