|
вопрос по схеме с ОЭ, моделирование в MultiSim |
|
|
|
Mar 3 2018, 19:29
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 46
Регистрация: 9-10-12
Пользователь №: 73 873

|
Всем доброго времени суток! Помогите, пожалуйста, разобраться с таким примером. На рисунке представлена схема и показания вольтметров в режиме без сигнала. На вход транзистора подаем синус, сначала с амплитудой 0.1 Vrms, затем с амплитудой 2 Vrms. При моделировании в MultiSime получил вот такие результаты. На одном рисунке, при малом сигнале, схема усиливает хорошо (масштаб по осям одинаковый), на другом (амплитуда входного синуса 2Vrms) усиления почти нет, и появляются искажения в форме. Подскажите, с чем это связано и как можно это победить, что нужно поменять в схеме? (Идеально на выходе нужен максимально возможно усиленный синус синусоидальной формы при входной амплитуде 2 Vrms).
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
 |
Ответов
|
Mar 3 2018, 20:20
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 46
Регистрация: 9-10-12
Пользователь №: 73 873

|
Цитата(domowoj @ Mar 3 2018, 23:14)  А что вы хотели от 100 МГцового транзистора, подавая сигнал 25МГц. Брал транзистор общего применения так сказать) подскажите, какой тогда транзистор можно взять ?) И дело получается именно в транзисторе? почему при изменении амплитуды входного сигнала форма выходного искажается?
|
|
|
|
|
Mar 3 2018, 20:36
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 46
Регистрация: 9-10-12
Пользователь №: 73 873

|
Цитата(Den64 @ Mar 3 2018, 23:24)  Настройте режим по постоянному току, транзистор до насыщения "махает". В симуляторе он у Вас достаточно бодро работает, в нормальном симуляторе и в реале картина скорей всего будет хуже. А что Вы имеете в виду под "в нормальном симуляторе и в реале картина скорей всего будет хуже"?
|
|
|
|
|
Mar 3 2018, 20:50
|

Знающий
   
Группа: Свой
Сообщений: 584
Регистрация: 22-11-07
Из: Курская область
Пользователь №: 32 571

|
Цитата(mcaffee @ Mar 3 2018, 23:36)  А что Вы имеете в виду под "в нормальном симуляторе и в реале картина скорей всего будет хуже"? я имею ввиду, что пользовался мультисимом. Картина далека от реальной. Даже старая версия этой программы (EWB) ближе к реальности. Пробовал только транзисторные схемы. Возможно с микросхемами мультисим лучше работает. А в реальности что будет хуже - это всего лишь предположение. Возможно я не прав. Кстати присмотрелся к осциллограмме размах напряжения на выходе 10В, и напряжение Vcc-Ve=10В. Что вы от него хотите? Поставьте колебательный контур на коллектор, размах увеличится. Транзистор перегружен и "сверху" и "снизу", вот и искажения.
|
|
|
|
|
Mar 3 2018, 21:06
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 46
Регистрация: 9-10-12
Пользователь №: 73 873

|
Цитата(Den64 @ Mar 3 2018, 23:50)  Кстати присмотрелся к осциллограмме размах напряжения на выходе 10В, и напряжение Vcc-Ve=10В. Что вы от него хотите? Поставьте колебательный контур на коллектор, размах увеличится.
Транзистор перегружен и "сверху" и "снизу", вот и искажения. Поменял режим по постоянному сигналу получил вот такие значения. В результате получился такой сигнал (на рис.). Подскажите, возможно ли менять скважность, чтобы было приближено к меандру? Цитата(Den64 @ Mar 3 2018, 23:50)  Кстати присмотрелся к осциллограмме размах напряжения на выходе 10В, и напряжение Vcc-Ve=10В. Что вы от него хотите? Поставьте колебательный контур на коллектор, размах увеличится.
Транзистор перегружен и "сверху" и "снизу", вот и искажения. Подскажите, что нужно учитывать, чтобы транзистор не был перегружен и сверху и снизу? (коэффициент усиления, положение рабочей точки)? Спасибо!
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
|
Mar 4 2018, 07:24
|
Гуру
     
Группа: Модераторы
Сообщений: 4 011
Регистрация: 8-09-05
Из: спб
Пользователь №: 8 369

|
Цитата(mcaffee @ Mar 4 2018, 00:06)  Подскажите, что нужно учитывать, чтобы транзистор не был перегружен и сверху и снизу? (коэффициент усиления, положение рабочей точки)? Спасибо! Считайте "крайние" точки. Максимальный сигнал в "плюс" - это когда транзистор имеет сопротивление значительно большее, чем сопротивление в К. Практически его можно представить как "разрыв" и максимальный уровень сигнала будет равен "питание - падение на коллекторном резисторе, учитываемое по току, протекающему по этому резистору и уходящему в нагрузку". А минимальный - это когда транзистор находится в "насыщении" или на границе этого режима. Он представляется как источник напряжения 1вольт. А грубо можно сказать - что закоротка. Через него течет ток обусловленный резисторами в К и Э. Ну и туда же пририсовать сопротивление нагрузки. Правда у Вас не показано сопротивление в цепи источника переменного сигнала.
--------------------
www.iosifk.narod.ru
|
|
|
|
Сообщений в этой теме
mcaffee вопрос по схеме с ОЭ Mar 3 2018, 19:29 Den64 BC817 Ft 100MHz. На входе 25 МГц, на коллекторе ак... Mar 3 2018, 20:07   mcaffee Цитата(Den64 @ Mar 3 2018, 23:24) Настрой... Mar 3 2018, 20:25    Den64 Цитата(mcaffee @ Mar 3 2018, 23:25) Что и... Mar 3 2018, 20:30       mcaffee Цитата(iosifk @ Mar 4 2018, 10:24) Считай... Mar 4 2018, 10:15 iosifk Цитата(mcaffee @ Mar 3 2018, 22:29) , на ... Mar 3 2018, 20:40 Ydaloj а сколько вообще надо получить размах Uвых?
ещё р... Mar 4 2018, 11:08 Plain
Считаются худшие случаи:
Смещение: 2,8 В (ампли... Mar 4 2018, 14:12 mcaffee Цитата(Plain @ Mar 4 2018, 17:12)
при э... Mar 4 2018, 15:32  Plain Цитата(mcaffee @ Mar 4 2018, 18:32) откуд... Mar 4 2018, 17:13   mcaffee Цитата(Plain @ Mar 4 2018, 20:13) Потому ... Mar 4 2018, 17:39  domowoj Цитата(mcaffee @ Mar 4 2018, 22:32) Можно... Mar 4 2018, 22:33 Plain Сперва учесть сопротивление источника, которое сей... Mar 4 2018, 18:33
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|