Транзисторы 10 ГГц, Р1dB = 22..25 dBm посоветуйте Опции

[Herasim]

Добрый день, коллеги!
Кто знает, подскажите пожалуйста,
существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм),
Такие чтоб не снимались завтра с производства...

Спасибо!

[Stariy Alex]

Добрый день, коллеги!
Кто знает, подскажите пожалуйста,
существуют ли сегодня транзисторы на частоты 9-10-12 Ггц с P1=20..25 dBm (а лучше до 28-30 дБм),
Такие чтоб не снимались завтра с производства...

BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf
Доставабельность в России мне неизвестна

[MW_Юрий]

BFG424W, 25 gHz, NXP Semiconductors
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFG424W.pdf
Доставабельность в России мне неизвестна

Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm
По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть.

[Stariy Alex]

Это по выходу +12dBm. PL(1dB) output power at1 dB gain compression 12 - dBm
По входу получится -10dBm совсем хилый. Искать надо среди усилителей hittite. Давно находил по выходу +28dBm, nomber не помню, но есть.

Не в таблице а по fig 6 и 8

а также транзистор BFU660F по fig 6
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf

[MW_Юрий]

Не в таблице а по fig 6 и 8

а также транзистор BFU660F по fig 6
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU660F.pdf

Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц

[Stariy Alex]

Этот тоже не в дугу. на 1.8ГГц. А надо 10ГГц

40 GHz fT silicon technology
Какая рабочая частота у ТС? Неужели не подходит? У NXP выше не нашел,а практически BFU690 - то же самое. Подождем, что ТС скажет.

[alver]

Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ.

Один из:

Код

TGF2942
DC - 25 GHz, 2 Watt, 28 V GaN RF Transistor

Product Data SheetRev A – 08/09/2016
Key Features

    Frequency Range: DC - 25 GHz
    Output Power (P3dB): 2.4 W at 10 GHz
    Linear Gain: 18 dB typical at 10 GHz
    Typical PAE3dB: 59% at 10 GHz
    Typical NF at 10 GHz: 1.2 dB
    Operating voltage: 28V
    CW and Pulse capable
    0.41 x 0.55 x 0.10 die

[MePavel]

Транзисторы с мощностью 28-30 дБм на 10 ГГц - это конечно GaN, например Qorvo(TriQuint) со своей фабрикой и с транзисторами собственной разработки, а не купленные вместе с RFMD (Sirenza) и WJ.

Один из:

Код

TGF2942

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.
Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

[alver]

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.

Для меня плюс на этих частотах.

Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 18:12

[MePavel]

Для меня плюс на этих частотах.

Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете?

Производство грязное, будут по-возможности сворачивать. Раньше альтернативы не было.

Надо учитывать, что GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В) и для реализации малых выходных мощностей (менее 1 Вт) эквивалентное сопротивление нагрузки должно быть несколько сотен ом, что делает конструкцию согласующих цепей весьма специфичной и узкополосной. Кроме того, по критерию Боде (о полосе согласования) надо ещё сравнить, что лучше GaN HEMT и GaAs pHEMT.
Да и значение PAE на 18 ГГц равное 55 % для GaN HEMT TGF2942 кажется фантастикой. Как я понял, в даташите на кристалл приводят только результаты симуляции на импульсном сигнале (т.е. это не реальные измерения). Как показывает мой опыт измерений и моделирования в симуляторах, на частотах выше 4-5 ГГц параметры PAE и Pout у реальных GaN HEMT далеки от моделей. С усилением тоже курьезы из-за относительно низкого входного импеданса и проблем с устойчивостью.
Так что если речь идёт о сотнях мВт, то выбор в пользу GaN HEMT не очевиден.

[alver]

Понадобится оборудование для разварки и напайки. Кстати какой материал подложки используете?

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами.

Надо учитывать, что у GaN HEMT сравнительно высоковольтные (питание 28 В)

Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...

Сообщение отредактировал alver - Mar 4 2018, 20:34

[Herasim]

Там где ставим, мощностей нет, клеим на ПП (керамика). Если нужно поставить два транзистора близко друг к другу, то альтернатив нет. Корпуса большие и много лишних соединений, кристаллы можно соединить напрямую бондами.


Это транзистор, напряжение любое, хоть от 0. С согласованием вопрос открытый, ток побольше задать, сопротивление меньше станет, при меньшем напряжении конечно. Не знаю, где автор собирается использовать транзистор: как ключ, или на длинную линию или ...

использовать как предварительный каскад, для работы на более мощные каскады либо на антенну.
Друзья , спасибо за ответы!

Только надо учитывать, что это транзисторный кристалл.
Чем плохи GaAs pHEMT для этих целей?

Да, забыл уточнить что на данном этапе интересует именно в корпусе. с кристаллами пока нет возможности работать.