DDR3: Терминация сигналов CK, Выбор топологии Опции

[Stepanich]

Здравствуйте.

Нужен совет практиков. Проектируется узел с DDR3 MT41J128M16JT-125IT. Моделирование ЦС выполняется в Hyper Lynx. Для сигнала CK имеем ошибку по точке пересечения комплементарных сигналов:


Стандартом JEDEC предписано следующее:


Действительно, если посмотреть на осциллограммы сигналов CK_P и CK_N (пробник на кристалле памяти), видна асимметрия (227 мВ):


Причём это связано с разными временами нарастания и спада:
Avg fall time: 119.773 ps Min fall time: 118.092 ps High voltage: 1.19 V
Max fall time: 130.519 ps Low voltage: 385.9 mV

Avg rise time: 93.433 ps Min rise time: 89.377 ps Low voltage: 385.9 mV
Max rise time: 95.155 ps High voltage: 1.19 V

Сигнал спадает медленнее, чем нарастает.

Если посмотреть на сигнал DQS (режим записи в память, пробник на кристалле памяти), то там асимметрия меньше (112 мВ):


Хотя скорость нарастания и спада по-прежнему разная:

Avg fall time: 142.460 ps Min fall time: 141.122 ps High voltage: 1.20 V
Max fall time: 143.345 ps Low voltage: 326.8 mV

Avg rise time: 125.503 ps Min rise time: 121.370 ps Low voltage: 326.8 mV
Max rise time: 126.889 ps High voltage: 1.20 V.

Я подозреваю, что разница в том, что сигнал CK терминируется, как простой LVDS - на резистор 100 Ом (так рекомендует Micron в TN-46-14: "VTT does not terminate any DDR clock pairs. CK and CK# termination is a parallel 100...121 Ohm resistor between the two lines. Micron has found that only differential termination on CK and CK# produces optimal SI."), а DQS - уже на Vdd/2 внутри чипа памяти.



Возможно, нужно поставить под сомнение рекомендацию производителя.

Вопрос: сталкивался ли кто-нибудь с необходимостью терминации сигналов тактирования CK на Vdd/2 вместо того, что рекомендует Micron? Или устранение данной проблемы нужно вести другим способом? В похожей теме ответа не нашёл.

Спасибо.

[Uree]

DDR3 ни разу не LVDS, и терминация 100 Ом между линиями работает только в редких случаях.
Обычно ставятся 36-43 Ома на каждую линию и с общей их точки 0.1мкФ на питание памяти(не VTT, а именно VDD). Так делают на модулях памяти, посмотрите на их схемы.
Хорошо работает терминация без конденсатора, просто каждая линия через такой резистор, но уже на VTT. Это уже из собственной практики. Не совсем согласуется с рекомендациями, но точно хорошо работает при небольшом числе чипов памяти.