DDR3: Терминация сигналов CK, Выбор топологии Опции

[Stepanich]

Здравствуйте.

Нужен совет практиков. Проектируется узел с DDR3 MT41J128M16JT-125IT. Моделирование ЦС выполняется в Hyper Lynx. Для сигнала CK имеем ошибку по точке пересечения комплементарных сигналов:


Стандартом JEDEC предписано следующее:


Действительно, если посмотреть на осциллограммы сигналов CK_P и CK_N (пробник на кристалле памяти), видна асимметрия (227 мВ):


Причём это связано с разными временами нарастания и спада:
Avg fall time: 119.773 ps Min fall time: 118.092 ps High voltage: 1.19 V
Max fall time: 130.519 ps Low voltage: 385.9 mV

Avg rise time: 93.433 ps Min rise time: 89.377 ps Low voltage: 385.9 mV
Max rise time: 95.155 ps High voltage: 1.19 V

Сигнал спадает медленнее, чем нарастает.

Если посмотреть на сигнал DQS (режим записи в память, пробник на кристалле памяти), то там асимметрия меньше (112 мВ):


Хотя скорость нарастания и спада по-прежнему разная:

Avg fall time: 142.460 ps Min fall time: 141.122 ps High voltage: 1.20 V
Max fall time: 143.345 ps Low voltage: 326.8 mV

Avg rise time: 125.503 ps Min rise time: 121.370 ps Low voltage: 326.8 mV
Max rise time: 126.889 ps High voltage: 1.20 V.

Я подозреваю, что разница в том, что сигнал CK терминируется, как простой LVDS - на резистор 100 Ом (так рекомендует Micron в TN-46-14: "VTT does not terminate any DDR clock pairs. CK and CK# termination is a parallel 100...121 Ohm resistor between the two lines. Micron has found that only differential termination on CK and CK# produces optimal SI."), а DQS - уже на Vdd/2 внутри чипа памяти.



Возможно, нужно поставить под сомнение рекомендацию производителя.

Вопрос: сталкивался ли кто-нибудь с необходимостью терминации сигналов тактирования CK на Vdd/2 вместо того, что рекомендует Micron? Или устранение данной проблемы нужно вести другим способом? В похожей теме ответа не нашёл.

Спасибо.

[Stepanich]

Карлсон, полагаю (и знаю по различным проектам), что влияние термобарьеров очень сильно зависит от ряда факторов: толщины меди, размера и количества подключённых полигонов, количества слоёв, профиля пайки, способа пайки (конвекция или парофазная пайка) и прочего. У данного проекта есть требования. Одно из этих требований - наличие термобарьеров. Нельзя отступить от данного требования.

Предлагаю закрыть вопрос термобарьеров, т. к. их исключение не поможет решить исходную проблему с цепью СК.

[Aner]

Карлсон, полагаю (и знаю по различным проектам), что влияние термобарьеров очень сильно зависит от ряда факторов: толщины меди, размера и количества подключённых полигонов, количества слоёв, профиля пайки, способа пайки (конвекция или парофазная пайка) и прочего. У данного проекта есть требования. Одно из этих требований - наличие термобарьеров. Нельзя отступить от данного требования.

Предлагаю закрыть вопрос термобарьеров, т. к. их исключение не поможет решить исходную проблему с цепью СК.

Упорство в ошибках с термобарьерами, доказывает отсутствие понимания вами их предназначения, да и образования по теме разводки плат. Требования монтажного цеха, без понимания сути проблемы к проектировщику, это "ржачно". Это как уборщица заставит ген директора делать то что ей нужно на предприятии. Страшный кошмар.

Данные термобарьеры не уместны тут по причинам электрических сигналов, поскольку ухудшают ЭМИ. С отводом тепла никак не связаны, поскольку в термопечи по профилю все нагреается равно-температурно.

Придуманы термобарьеры в основном для пайки выводных компонентов при ручном монтаже, либо для пропайки переходников открытых от маски.

Вот посмотрите в томже гипертерме, какое это зло для путей тока и распределения температуры. Для вашего этого проекта, может тогда и откажетесь.
Еще как вариант посмотрите в инете кучи плат аналогичных, не увидите там термобарьеров как у вас.
------
проблема с цепью СК.
1) неверный, ошибочный подвод диф пары к переходникам с обоих сторон. Нужно исправить.
2) не соблюдено правило 3W на некоторых участках. Нужно исправить, место есть.
3) проверить GND слои ниже выше над этой цепью. Проверить их целостность, сделать сшивку переходниками GND в соответствующих местах.