|
Модель LDMOS NXP |
|
|
|
 |
Ответов
|
Apr 30 2014, 19:14
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150

|
Цитата(Demonis @ Apr 23 2014, 00:11)  Если нагрузить представленные в документации согласующие цепи на модель транзистора, то согласования не получается. Что есть что в прилагаемой базе от NXP? Или что я делаю не так? Если к выходу рассматриваемой модели транзистора подключить нагрузку с импедансом Zl из даташита, то можно видеть отрицательную активную составляющую входного импеданса. Это означает, что напрямую согласовать на импеданс источника Zs (тем более из даташита) не получится. Во-первых невозможно изготовить пассивную согласующую цепь, имеющую отрицательное активное сопротивление, а во-вторых получим автогенератор. Конечно можно считать, что модель транзистора неправильно работает. Однако такое поведение современных LDMOS транзисторов с большим усилением (порядка 27-30 дБ) на этих частотах - обычное дело. Не стоит этому удивляться. Прикрепил файлы проектов в AWRDE для 8,9 и 10 версии. Там как раз показан результат нелинейного моделирования BLF571 (библиотека NXP последней 8-й версии) в скорректированной схеме. Как видно импеданс нагрузки взят из даташита, а импеданс источника достаточно близок к значениям производителя. Коэффициент усиления, КПД, выходная мощность соответствуют типовым значениям из даташита. Таким образом, аналогично можно пересчитать импеданс источника и нагрузки и на другие частоты.
Сообщение отредактировал MePavel - Apr 30 2014, 19:15
|
|
|
|
|
May 3 2014, 18:51
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 224
Регистрация: 9-05-06
Из: Киев
Пользователь №: 16 911

|
Цитата(MePavel @ Apr 30 2014, 21:14)  Если к выходу рассматриваемой модели транзистора подключить нагрузку с импедансом Zl из даташита, то можно видеть отрицательную активную составляющую входного импеданса. Это означает, что напрямую согласовать на импеданс источника Zs (тем более из даташита) не получится. Во-первых невозможно изготовить пассивную согласующую цепь, имеющую отрицательное активное сопротивление, а во-вторых получим автогенератор. А резистор на 33 Ом и емкость в 1 нФ это что? Коррекция модели? Потому, что таких элементов на примере от NXP нет. Если рассматривать пример от NXP, то есть транзистор и есть входная и выходная цепь, которая настроена на то сопротивление, которое указывается в даташите (это подтвердил для себя симуляцией в AWR). Подавая мощность на транзистор пытался смотреть его входное сопротивление при наличии мощности. Получается не более 2-3 Ом активной составляющей и -25 Ом реактивной. Если реактивная еще как-то близка к даташиту, то активная сильно отличается. Пытался, используя модель, делать load pull. Тоже активное сопротивление получается на входе 3-4 Ом. Вот и не понятно, как работать с моделью и на сколько она точна Приложил свои файлы в AWR10.
|
|
|
|
|
May 7 2014, 10:37
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150

|
Провел Load Pull тест модели с поиском максимальной выходной мощности (маркер - O) и максимального КПД стока (Drain Efficiency - DF, маркер X). Режимы: Vds=50V, Idq=50 мА, Pin = 16 dBm. Схема и результат теста: Точки: - MAX Pout Zl=26,3+j23,4 (24,6 Вт; 62,7 %)
- datasheet Zl=31,7+j29,3 (23,4 Вт; 68,7 %)
- MAX DF (7,6 Вт; 83,7 %) Zl=11,8+j70,3
Как видно, оптимальный импеданс Zl из даташита как и положено расположен между точками максимальной выходной мощности и максимального КПД. При этом достигается разумный компромисс, выходная мощность и КПД соответствуют даташиту. Так что модель работает вполне точно. Вероятно в "List of components" ошибка при указании номинала резистора R1 (скорее 100 Ом, а не 1000).
|
|
|
|
|
Jul 24 2018, 06:54
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042

|
Цитата(MePavel @ May 7 2014, 16:37)  Провел Load Pull тест модели с поиском максимальной выходной мощности (маркер - O) и максимального КПД стока Здравствуйте, а можете и мне пожалуйста объяснить как правильно load pull анализ проводить. Исходные данные: модель ADS и даташит. Для транзистора в даташите указаны импедансы для частоты 108 мгц входной 1.94 +j2.87 и выходной 3.35 +j3.95, оба в балансном включении, то есть измерены gate to gate, drain to drain. Далее я по шаблону собрал схему. Предположил, что так как транзистор должен работать в push pull, то просто поделить импедансы на пополам. Но не понятны настройки в load pull которые выделил оранжевым. Особенно Z_Source_Fund, по началу предположил что это входной импеданс и вбил 0.97 +j1.94 половина от того что дана в даташите, в результате посчитать анализ не может, все invalid. Результаты выдает только если в Z_Source_Fund забиваю импеданс с отрицательной комплексной частью. Например 5 -j5. В графиках результата есть графа Z_In_at_MaxPower это что ? входной импеданс при котором мощность наибольшая ? С цифрами из даташита результаты анализа не сходятся в даташите входной импеданс индуктивный +j а в результате анализа импеданс емкостный -j если ориентироваться на Z_In_at, этот момент вообще в ступор поставил, при этом выходной импеданс как то более менее похож на цифры из даташита. Как выбирать правильно импеданс далее ? Еще не понятен момент, насколько я знаю что бы согласовать вход 50 +j100 то нагрузка должна быть 50 - j100 тогда будет согласование, а здесь в результате что есть что ? импеданс самого транзистора или импеданс его согласующей цепи? П.с режим и power available вроде выставил так же как и в даташите.
Эскизы прикрепленных изображений
|
|
|
|
Сообщений в этой теме
Demonis Модель LDMOS NXP Apr 22 2014, 20:11 saab Цитата(Demonis @ Apr 23 2014, 04:11) Apr 22 2014, 20:24  MePavel Цитата(Demonis @ May 3 2014, 22:51) Если ... May 6 2014, 19:44    MePavel Цитата(ASDFG123 @ Jul 24 2018, 09:54) Для... Jul 28 2018, 10:06 ASDFG123 Здравствуйте Спасибо за ответ. Хотя еще не все ясн... Jul 28 2018, 15:50 MePavel Цитата(ASDFG123 @ Jul 28 2018, 18:50) Здр... Jul 28 2018, 17:53  ASDFG123 Цитата(MePavel @ Jul 28 2018, 23:53) Не м... Jul 31 2018, 04:32   MePavel Цитата(ASDFG123 @ Jul 31 2018, 07:32) Да ... Jul 31 2018, 19:00    ASDFG123 Цитата(MePavel @ Aug 1 2018, 01:00) Импед... Aug 1 2018, 13:23     MePavel Цитата(ASDFG123 @ Aug 1 2018, 16:23) Если... Aug 1 2018, 18:16      ASDFG123 Цитата(MePavel @ Aug 2 2018, 00:16) Выход... Aug 2 2018, 09:51
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|