Топология Flash/EEPROM памяти Опции

[KMC]

Может быть, у кого-нибудь есть примеры топологии блоков памяти Flash/EEPROM? Хотелось бы просветиться немного по данной тематике... Понятно, что обычно фабрики дают блоки памяти в виде черных ящиков, но вдруг у кого есть.

И есть ли вообще люди на форуме, которые работали по данной тематике: разрабатывали блоки флэш или ЭСППЗУ памяти?

[SM]

Neoflash оставили ONO слой, который и так используется при техпроцессе, добавив второй поликремний, т.е. дополнительно три маски.

А основной подход - это следующее:

Делаем рядом два полевика с общим затвором, в соседних well-ах. Первый полевик это p-канальник в n-well, второй - n-канальный в другом n-well. Первый полевик есть собственно тот, с которого снимают значение бита, а well второго полевика есть управляющий затвор. А собственно poly плавает.

PS. Во - что-то с картинками на тему http://icpr.snu.ac.kr/resource/wop.pdf/J01...2041R060846.pdf
Только тут чуть по-другому, но с тем же смыслом