Может быть, у кого-нибудь есть примеры топологии блоков памяти Flash/EEPROM? Хотелось бы просветиться немного по данной тематике... Понятно, что обычно фабрики дают блоки памяти в виде черных ящиков, но вдруг у кого есть.
И есть ли вообще люди на форуме, которые работали по данной тематике: разрабатывали блоки флэш или ЭСППЗУ памяти?
Спасибо за ссылку, но это единственная книга, которая у меня была, да еще магистерская диссертация скачанная там же... потихоньку изучаю
Заинтересовала информация по eeprom под цифровые техпроцессы. к сожалению, информации на сайте почти никакой не нашел. есть только несколько своих предположений - в качестве тунельного окисла -подзатворный д/э мопа (3.3 В при по идее должно быть достаточно для перепрограммирования). Плавающий затвор - поликремний, а второй затвор из металла что ли делают, и д/э между первым и вторым затвором из чего? или там совршенно другой принцип построения ячейки?
Группа: Свой
Сообщений: 79
Регистрация: 20-09-06
Пользователь №: 20 552
Цитата(KMC @ Jan 29 2007, 16:59)
в качестве тунельного окисла -подзатворный д/э мопа (3.3 В при по идее должно быть достаточно для перепрограммирования).
3.3В обычно не достаточно, в этом и проблема. Вираж например для TSMC 018u требует более 5.8В, и соответственно нужен charge pump, а в месте с ним и проблемы с надежностью работы при таких высоких напряжениях.
Топология Flash/EEPROM памяти
Jan 26 2007, 00:41
