Микропотребляющий аналог, некоторые вопросы... Опции

[SM]

Процесс 0.35

1) Опорный ток хочу в районе 200-300 нА. На сколько точно можно доверять симуляции в части утечек? Ну естественно в среднем, в fitting curves этот диапазон токов плохо виден , фаб говорит - х.з., по кривым, что со спайсами идут, вроде субпороговая область хорошо выглядит, если экстраполировать, но все что меньше микроампера видно крайне плохо. Т.е. конечно шаттл будет, но хочется примерно оценить, что ожидать. Симуляция показывает очень красивые картинки, но по законам мэрфи что-то все равно должно быть не так.

2) Выбор отношения W для P/N - нет ли теоретически каких нибудь подводных камней...

[SM]

zzzzzzzz, большое спасибо за информацию. Однако... Теперь новые вопросы:

Я везде использую каскодные зеркала, где W/L равны и у токозадающего, и у "напряго-стабилизирующего" частей каскода. А смещение для "напряго-стабилизирующей" части формируется отдельно, в блоке генератора смещений, одно на всех. Примерно как "3-23" оттуда, но только с равенством W/L у M2, M3, M4, M5. При этом выходное сопротивление по результатам симуляции меня более чем устраивает. Есть ли реальный смысл делать схему с резистором, с учетом того, что при моих токах резистор будет не маленьким?

Граница стока/истока под затвором это что и где именно? Немного непонял. Она же проходит под всем затвором...Имеется в виду p-n переход, который оказался непосредственно под затвором (пересечение края активной области с поликремнием)? Кольцевой, конечно хорошо, но у меня нельзя делать контакт к поли над AA, по дизайн рулам не пройдет, а если сделать отвод от кольца в сторону... то LVS может меня не правильно понять... В общем буду думать.