Люди, я никого ничего не заставляю же...
Утечка - личное дело каждого....
По этому вопросу люди диссеры пишут...
Сейчас у вас 20нА, а завтра может 200нА- заряд в локосе мигрировал, например, под затвор. И к тому же, есть большая разница, где это происходит - в ИО паде или в центроидном дифкаскаде (особенно у компаратора, на входах которого разные потенциалы постоянно присутствовали). А может потечь так, что вся схема развалится...
Идеальный вариант выглядит так, как на прикрепленном рисунке. Контакт к поли лежит на локос-островке. Никаких левых транзисторов не восстанавливается при экстракции (хотя, это зависит от правил, которые Вы используете, я восстанавливаю gate=active&poly&Nselect&NOT(LOX) например).
И еще (на рисунке тоже видно) немаловажно для высококачественных топологий - хорошо запитывайте подложку (или карман) - для динамики влияние сопротивления подложки очень важно.
Эскизы прикрепленных изображений
Микропотребляющий аналог, некоторые вопросы...
Jan 31 2007, 15:27
, фаб говорит - х.з., по кривым, что со спайсами идут, вроде субпороговая область хорошо выглядит, если экстраполировать, но все что меньше микроампера видно крайне плохо. Т.е. конечно шаттл будет, но хочется примерно оценить, что ожидать. Симуляция показывает очень красивые картинки, но по законам мэрфи что-то все равно должно быть не так.
