Микропотребляющий аналог, некоторые вопросы... Опции

[SM]

Процесс 0.35

1) Опорный ток хочу в районе 200-300 нА. На сколько точно можно доверять симуляции в части утечек? Ну естественно в среднем, в fitting curves этот диапазон токов плохо виден , фаб говорит - х.з., по кривым, что со спайсами идут, вроде субпороговая область хорошо выглядит, если экстраполировать, но все что меньше микроампера видно крайне плохо. Т.е. конечно шаттл будет, но хочется примерно оценить, что ожидать. Симуляция показывает очень красивые картинки, но по законам мэрфи что-то все равно должно быть не так.

2) Выбор отношения W для P/N - нет ли теоретически каких нибудь подводных камней...

[zzzzzzzz]

"А с чего бы ей сильнее течь? Ну то есть вроде это же тот-же p-n переход, что и под высоколегированными областями стока и истока."
Течет не переход. Приоткрывается канал по краям. Открывает его паразитный положительный заряд в окисле (он неизбежен). Где окисел становится "толще", там и выше влияние этого заряда. Он также частично или полностью маскирует потенциал самого поли-затвора. Представим себе, что н-канал должен быть закрыт, т.е. потенциал относительно подложки 0.
А он, например, 0.5В вблизи поверхности кремния на краях истока и стока из-за того, что сюда со временем мигрировали ионы Na, присутствующие в локосе по определению...

[SM]

А он, например, 0.5В вблизи поверхности кремния на краях истока и стока из-за того, что сюда со временем мигрировали ионы Na, присутствующие в локосе по определению...

А если в процессе не локос, а STI? Этот эффект тоже будет?