Микропотребляющий аналог, некоторые вопросы... Опции

[SM]

Процесс 0.35

1) Опорный ток хочу в районе 200-300 нА. На сколько точно можно доверять симуляции в части утечек? Ну естественно в среднем, в fitting curves этот диапазон токов плохо виден , фаб говорит - х.з., по кривым, что со спайсами идут, вроде субпороговая область хорошо выглядит, если экстраполировать, но все что меньше микроампера видно крайне плохо. Т.е. конечно шаттл будет, но хочется примерно оценить, что ожидать. Симуляция показывает очень красивые картинки, но по законам мэрфи что-то все равно должно быть не так.

2) Выбор отношения W для P/N - нет ли теоретически каких нибудь подводных камней...

[zzzzzzzz]

Спасибо, почитал второй док. Первый почему-то не качается.

Однако, это немного не о том - здесь в основном борьба за изоляцию транзисторов друг от друга (некое подобие КНИ).
Окисел все равно остается основным изолятором.
То есть, эффект остается. Другое дело, что эффект минимизируется за счет очень тонких слоев высококачественного окисла. Это важно.

Одна из основных проблем короткоканальных приборов - горячие электроны, вызывающие ионизацию подзатворного окисла. Против них борятся уменьшением толщины (объема) окисла и так называемыми "спейсерами" - демпферными областями с плавным градиентом концентрации примеси.

Короче, даже для таких продвинутых техпроцессов (а может, не даже, а особенно) я бы для аналоговых схем использовал бы кольцевые транзисторы.
Причем, не использовал бы минимальную разрешенную длину канала.
Если не ставить рекордов по быстродействию, то для аналоговых схем достаточно было бы L>=0.5u Это что-то вроде 100МГц для ОУ. Но, иногда надо и быстрее. Тогда степень "аккуратности" при разработке топологии должна сурово возрастать. Интересно было бы найти подробное описание техпроцесса Analog Devices для быстродействующих прецизионных оперюков.
Думаю, там много технологических "чудес" заложено.