Согласование линии - подскажите правильно я делаю? Опции

[Arischenko Ivan]

Процессор AT91SAM9260, память SDRAM один корпус 16бит + NAND Flash 8бит. Шина адреса и данных у Flash мультиплицирована.

Проводники ширина 0.2, зазор 0.2.

Стек слоев :

сигнальный
земля
+1,8в
+3,3в
земля
сигнальный

Согласование шины адреса : последовательно в шину сопротивление 30-40 Ом ( половину волнового сопротивления шины), расположение - около выходного буфера процессора.

Согласование шины данных : последовательно в шину сопротивление 30-40 Ом ( половину волнового сопротивления шины), расположение - около выходного буфера процессора.

Для процессора и памяти я нашел IBIS модели компонентов,провел моделирование в HyperLynx и модуле Signal Integrity (Altium Designed 6.5)

HyperLynx предлагает согласование для шины адреса в 37 ом, для шины данных номинал согласования зависит от того кто является передатчиком на шине(процессор или память).

картинка разводки для моделирования : (Altium Designer 6.5) http://sevsin.ru/cad/board.JPG
шина адреса , линия А0 без согласования : http://sevsin.ru/cad/A0_noterm.JPG
шина адреса, линия A0 согласование резистор 33Ом последовательно : http://sevsin.ru/cad/A0_term.JPG
шина данных, передатчик - процессор, без согласования : http://sevsin.ru/cad/D0_noterm.JPG
шина данных, передатчик - процессор, согласование резистор 33 Ом : http://sevsin.ru/cad/D0_term.JPG

Такого согласования будет достаточно для стабильной работы на 100 Мгц? Или необходимо как-то по другому согласовать шины?

[Georgy]

Я бы постарался выполнить в 4 слоях, один сл. питания один gnd, но Вам виднее.
В документе изложены требы по разводке, выполняя их, не задаюсь вопросом, будет работать или нет.
Это стр. 76 апноты от ADI
Успехов!  HighSpeedDriving76.pdf ( 25.36 килобайт ) Кол-во скачиваний: 558