[attachment=11225:attachment]
[attachment=11226:attachment]
Решил немного с другой стороны посмотреть.
На графиках зависимости напряжений на выходе ОУ, стоке/затворе полевика и тока через резистор R2 (добавлен для наглядности) от напряжения на входе схемы (V3=[-2В..+2В]) со степпингом по напряжению подложки V4=[0В..-5В] с шагом 1В.
Видно, что при открывании диода подложка-сток напряжение на стоке, естесно, ограничивается, ОУ улетает в минус насыщения, и это правильно.
Не могу понять, чем обусловлено ограничение в плюс (точно не питанием ОУ - когда сначала сделал R1=10k и без R2, с моделью ОУ Level1 отрицательного насыщения ОУ не наступало вплоть до -1500В
).
Модель ОУ - Generic Level3 (с совсем идеальным Level1 картинка не меняется), модель полевика - Generic N-MOSFET из библиотек MicroCap7.
upd: торможу под вечер. В модели полевика черным по-русски задано threshhold voltage 4V.
Еще одна интересная задачка по аналоговой, Тоже один из вариантов вопросов на job interview по аналоговой схемоте
May 2 2007, 23:03
